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합성수지 용액으로 플라스틱 기판 상에 박막을 형성하는 제1 단계-상기 합성수지는 상기 기판보다 낮은 유리전이온도(Tg)를 가짐-;상기 합성수지의 유리전이온도보다는 높고 상기 기판의 유리전이온도보다 낮은 온도 조건에서 미리 설정된 시간 동안 가열한 후 식히면서 상기 박막에 요철 형상의 패턴을 형상하는 제2 단계;상기 박막의 표면을 소수성으로 개질시키는 제3 단계;상기 박막의 표면에 나노입자 용액을 분사하는 제4 단계; 및상기 박막의 표면을 상기 기판의 유리전이온도보다 낮은 온도 조건에서 소결하여 나노 입자가 상기 요철 형상의 패턴을 따라 배열된 회로 패턴을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 기판의 유리전이온도는 155℃ 이하인 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계에서는 소프트 석판술에 의하여 상기 요철형상의 패턴이 형성되는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제2항에 있어서,상기 제2 단계는,상기 요철 형상의 패턴이 역으로 형성된 주형에 의하여 상기 박막을 가압하는 제2-1 단계; 및상기 가압된 상태의 박막을 경화시키는 제2-2 단계;를 포함하는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제3항에 있어서,상기 제2-2 단계에서 가열 및 냉각을 순차적으로 적용하여 경화시키는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제1항에 있어서,상기 제3 단계에서는 상기 박막의 표면을 옥타데실트리메탁시실란(N-octadecyl trimethoxysilane), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane), 옥타데실트리에탁시실란(Octadecyltriethoxysilane), 옥타데실디메틸메탁실란(Octadecyldimethylmethoxysilane), 옥타데실디메틸클로로실란(Octadecyldimethylchlorosilane) 중 적어도 어느 하나와 반응시키는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제5항에 있어서,상기 제3 단계에서는 옥타데실트리메탁시실란(N-octadecyl trimethoxysilane)과의 반응 이전에 상기 박막의 표면을 산화시키는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제6항에 있어서,상기 박막은 과망간산칼륨(KMnO4)과 황산 혼합용액으로 산화되는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제1항에 있어서,상기 제4 단계 및 제5 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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제1항에 있어서,상기 제4 단계는 마이크로주사기에 의하여 수행되는 나노입자 배열을 이용한 패턴인쇄방법
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플라스틱 기판;합성수지 용액에 의해 상기 플라스틱 기판상에 형성되는 박막-상기 합성수지는 상기 기판보다 낮은 유리전이온도(Tg)를 가짐-;계면작용에 의하여 요철 형상의 패턴을 따라 배열하고, 상기 박막의 표면을 상기 기판의 유리전이온도보다 낮은 온도 조건에서 소결하여 형성된 나노입자 패턴을 포함하는 인쇄회로기판
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제10항에 있어서,상기 박막은 폴리스티렌(Polystyrene) 재질로 형성되는 나노입자 배열에 의한 패턴이 형성된 인쇄회로기판
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제10항에 있어서,상기 박막의 패턴은 음각으로 형성되는 나노입자 배열에 의한 패턴이 형성된 인쇄회로기판
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제10항에 있어서,상기 기판은 polycarbonate, Polyester, Polyethylenenapthalate, Polyetherimide, Polyvinylalcohol, Polyethylene terephthalate, Polyethersulfone, Polyetheretherketon, Polyimide 및 유리 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 형성되는 나노입자 배열에 의한 패턴이 형성된 인쇄회로기판
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