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저온 용액 공정 절연체 및 산화물 TFT 및 절연체 적층기반 OLED 제작 기술

기술번호 : KST2015021055
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 OLED 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 OLED 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 애노드; 상기 애노드 상에 형성된 제 1 유기 박막층; 상기 제 1 유기 박막층 상에 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 유기 박막층; 및 상기 제 2 유기 박막층 상에 형성된 캐소드를 포함하고, 상기 제 1 유기 박막층과 제 2 유기 박막층은 각각 단층 또는 다층으로 구성되고, 제 1 유기 박막층 또는 제 2 유기 박막층의 적어도 일부가 절연체로 도핑 또는 적층된다. 본 발명에 따른 OLED 소자는 유기 박막층에 절연체를 도핑하거나 적층함에 따라 전하의 균형된 주입을 통하여 발광효율을 증가시키며, 동시에 내구성이 우수한 장수명의 소자를 제공한다.절연체, 리튬 벤조에이트, 유기 박막층
Int. CL	C09K 11/06 (2006.01)
CPC	H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01)
출원번호/일자	1020070054496 (2007.06.04)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0835988-0000 (2008.06.02)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20080609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020060123091 \| 2006.12.06
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.06.04)
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	도이미	대한민국	대전 유성구
2	백규하	대한민국	대전 유성구
3	이정익	대한민국	경기 수원시 권선구
4	양용석	대한민국	대전 유성구
5	정승묵	대한민국	경기 수원시 영통구
6	추혜용	대한민국	대전 유성구
7	박상희	대한민국	대전 유성구
8	황치선	대한민국	대전 대덕구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.06.04	수리 (Accepted)	1-1-2007-0407366-18
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.12.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.01.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0001791-97
4	등록결정서 Decision to grant	2008.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0291936-82
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 형성된 애노드;상기 애노드 상에 형성된 제 1 유기 박막층;상기 제 1 유기 박막층 상에 형성된 유기 발광층;상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 유기 박막층; 및상기 제 2 유기 박막층 상에 형성된 캐소드를 포함하고,상기 제 1 유기 박막층과 제 2 유기 박막층은 각각 단층 또는 다층으로 구성되고, 제 1 유기 박막층 또는 제 2 유기 박막층의 적어도 일부가 절연체로 도핑 또는 적층되는 OLED 소자
2	2 제 1항에 있어서,상기 적층되는 절연체의 두께가 0
3	3 제 1항에 있어서,상기 도핑되는 절연체의 농도가 1중량% 내지 50중량% 범위인 것을 특징으로 하는 OLED 소자
4	4 제 1항에 있어서,상기 제 1 유기 박막층으로는 정공주입층 또는 정공주입층과 정공수송층인 것을 특징으로 하는 OLED 소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 제 2 유기 박막층으로는 정공차단층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
6	6 제 1항에 있어서,상기 절연체는 쌍극성 특성을 갖는 비전도성물질을 포함하는 무기절연체 또는 유기절연체로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
7	7 제 6항에 있어서,상기 비전도성물질은 알칼리 산화물, 알카리 토금속 산화물, 금속 또는 비금속 산화물, 알칼리 불소화물, 알칼리 토금속 불소화물 및 음이온을 포함하는 금속 또는 비금속 화합물로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
8	8 제 7항에 있어서,상기 알칼리 산화물로는 리튬 옥사이드, 소듐 옥사이드, 포타슘 옥사이드, 루비듐 옥사이드 및 세슘 옥사이드로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
9	9 제 7항에 있어서,상기 알칼리 토금속 산화물로는 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드, 스트론튬 옥사이드 및 바륨 옥사이드로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
10	10 제 7항에 있어서, 상기 알칼리 불소화물로는 리튬 플루오라이드, 소듐 플루오라이드, 포타시움 플루오라이드, 루비듐 플루오라이드 및 세슘 플루오라이드로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
11	11 제 7항에 있어서,상기 알칼리 토금속 불소화물로는 마그네슘 플루오라이드, 칼슘 플루오라이드, 스트론튬 플루오라이드, 및 바륨 플루오라이드로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
12	12 제 7항에 있어서,상기 금속 또는 비금속 산화물로는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드 및 탄탈륨 옥사이드로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
13	13 제 7항에 있어서,상기 음이온을 포함하는 금속 또는 비금속 화합물에서, 음이온으로는 아세테이트, 벤조에이트 및 카보네이트로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
14	14 제 13항에 있어서,상기 아세테이트를 포함하는 금속 또는 비금속 화합물로는 리튬 아세테이트, 소듐 아세테이트, 포타슘 아세테이트, 루비듐 아세테이트 및 세슘 아세테이트로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
15	15 제 13항에 있어서,상기 벤조에이트를 포함하는 금속 또는 비금속 화합물로는 리튬 벤조에이트, 소듐 벤조에이트, 포타슘 벤조에이트, 루비듐 벤조에이트 및 세슘 벤조에이트로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
16	16 제 13항에 있어서,상기 카보네이트를 포함하는 금속 또는 비금속 화합물로는 리튬 카보네이트, 소듐 카보네이트, 포타슘 카보네이트, 루비듐 카보네이트 및 세슘 카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP04629715	JP	일본	FAMILY
2	JP20147630	JP	일본	FAMILY
3	US07952273	US	미국	FAMILY
4	US20080136321	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2008147630	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	JP4629715	JP	일본	DOCDBFAMILY
3	US2008136321	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US7952273	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-0835988-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070604 출원 번호 : 1020070054496 공고 연월일 : 20080609 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080529 청구범위의 항수 : 16 유별 : C09K 11/06 발명의 명칭 : ＯＬＥＤ 소자 존속기간(예정)만료일 : 20120603

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	393,000 원	2008년 06월 03일	납입
제 4 년분	금 액	392,000 원	2011년 05월 31일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.06.04	수리 (Accepted)	1-1-2007-0407366-18
2	선행기술조사의뢰서	2007.12.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2008.01.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0001791-97
4	등록결정서	2008.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0291936-82
5	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


기술번호	KST2015021055
자료제공기관	미래기술마당
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	저온 용액 공정 절연체 및 산화물 TFT 및 절연체 적층기반 OLED 제작 기술
기술개요	본 발명은 OLED 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 OLED 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 애노드; 상기 애노드 상에 형성된 제 1 유기 박막층; 상기 제 1 유기 박막층 상에 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 유기 박막층; 및 상기 제 2 유기 박막층 상에 형성된 캐소드를 포함하고, 상기 제 1 유기 박막층과 제 2 유기 박막층은 각각 단층 또는 다층으로 구성되고, 제 1 유기 박막층 또는 제 2 유기 박막층의 적어도 일부가 절연체로 도핑 또는 적층된다. 본 발명에 따른 OLED 소자는 유기 박막층에 절연체를 도핑하거나 적층함에 따라 전하의 균형된 주입을 통하여 발광효율을 증가시키며, 동시에 내구성이 우수한 장수명의 소자를 제공한다.절연체, 리튬 벤조에이트, 유기 박막층
개발상태	연구실환경 테스트
기술의 우수성	1) 저온공정이 가능한 절연체 제작 기술 제공 - 무기물 기반으로 산화물 TFT와의 계면적합성 우수 - 150도 이하의 저온공정으로 우수한 절연특성 확보 2) 저온공정이 가능한 산화물 TFT 제작 기술 제공 - 150도 이하의 저온공정 기반 산화물 TFT 제작기술 3) TFT의 성능을 향상시킬 수 있는 계면 표면처리 기술 제공 - 표면제어를 이용한 TFT 제작기술 - 전극 및 계면 표면처리 4) 고성능, 저전력 OLED 제작 기술 제공 - 절연체 적층 및 도핑을 통한 OLED 효율 향상 기술
응용분야	1) 저온 형성용 소재의 사용은 공정에서 요구되는 온도를 낮춤으로써 불필요한 에너지의 사용을 막고 저탄소화를 실현할 수 있다는 점을 비롯하여 특히 인쇄전자로 접목할 경우 대부분의 종이 출판물을 대체할 수 있다는 장점에서 녹생성장 기술로 평가할 수 있음 - 본 기술은 저온 소성 가능한 산화물 잉크 조성 기술, 용액 공정형 절연체 잉크 조성 기술, 디스플레이 TFT향 산화물 신조성 원천 소재 기술, 박막 제조를 위한 코팅/인쇄/식각/패턴 공정 기술, L翕籠害？？？？？？？？？？？？？？란1？(1？？？？`？？？？？？？延？？？？？？？1？？？彿廷？廷巫廷？？맘？彿廷만？塚廷맘？？？？？學廷漸？？？廷？？？廷圭廷？？( ？(？？？%괰1？？？？？괰1？( 괰1？？？？괰1？？괴1？？팃痛괴1？？괴1？큁痛괴1？？？≪？？？？痛멜？？？專？i？？？？굤1瑄？괴1？？？痛？
시장규모 및 동향	1) 저온 용액 공정 산화물 TFT 및 OLED가 적용될 것으로 예상되는 플렉서블 디스플레이를 토대로 향후 시장을 예측함 2) IHS Inc.의 자료에 따르면 플렉서블 디스플레이 시장은 현재는 미미하나 향후 매우 급격하게 성장할 것으로 예측되어 2020년에는 400억불의 시장이 형성될 것으로 예측함
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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