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가스유입구, 수용장치 및 접지된 분리수단을 구비하고, 상기 분리수단에 의해 나노입자 형성영역 및 나노입자 수용영역으로 분리되는 반응 챔버,
상기 반응 챔버 내에 상기 가스유입구를 통해 공정가스 및 분위기 가스를 이송하는 가스공급부,
플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 및 펄스 형태로 RF 전력을 생성하여 상기 플라즈마 소스에 공급하는 펄스 RF 발생 장치를 포함하는 전원부, 및
상기 반응 챔버 내의 진공 형성 및 가스유동을 제어하는 유동제어부를 포함하는 나노입자의 제조장치로서,
상기 나노입자 형성영역은 전원부에 의해 상기 펄스 형태의 플라즈마가 인가되는 영역으로서 상기 가스유입구 및 상기 접지된 분리수단 사이에서 형성되고,
상기 나노입자 수용영역은 포집장치 및 증착 장치로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 상기 수용장치를 포함하고, 상기 전원부의 펄스 인가가 중단되면 상기 나노입자 형성영역에서 제조된 나노입자가 상기 수용장치에서 포집 또는 증착되는 영역인 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 분리수단이 상기 나노입자를 상기 나노입자 형성영역에서 상기 나노입자 수용영역으로 이동할 수 있도록 타공된 금속물질인 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 분리수단이 그리드인 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 분리수단이 반응 챔버를 나노입자 형성영역과 수용영역으로 분리하도록 상기 수용장치를 둘러싸거나 또는 상기 가스유입구 및 수용장치 사이에서 이들과 평행하게 설치된 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 포집장치는 나노입자를 담을 수 있는 장치로서 기판, 웨이퍼 및 플레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 수용장치가 높이 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 수용장치는 형성된 상기 나노입자를 어닐링(annealing)하여 결정질로 재가공하는 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 장치가 DC 전원을 상기 수용장치에 인가하여 나노입자를 전기적 인력으로 포집하는 DC-바이어스 전원장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 전원부는 상기 펄스 RF 발생장치에서 발생된 RF 전력을 상기 플라즈마 소스에 전달하는 매칭시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 반응 챔버의 측벽에 뷰 포트(view port), 및 상기 분리수단 상에 투명 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 공정가스는 SiH4, SiCl4, Si2H6, SiH2Cl2 및 SiF4로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 분위기 가스는 Ar, N2, 및 CO2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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제 1항에 있어서, 상기 유동 제어부는 반응 챔버 내의 압력을 진공으로 만드는 진공형성 수단 및 상기 진공형성 후 공급되는 상기 공정가스 및 분위기 가스의 압력을 고정하는 유량제어장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조장치
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가스 유입구, 수용장치 및 접지된 분리수단을 구비하고, 상기 분리수단에 의해 나노입자 형성영역 및 나노입자 수용영역으로 분리되는 반응 챔버 내에 진공을 형성하는 단계 :
진공상태인 상기 반응 챔버 내로 공정가스 및 분위기 가스를 주입하는 가스 공급 단계 ;
상기 공급된 가스가 반응 챔버 내에서 정상상태를 유지하도록 제어하는 압력 고정 단계 ; 및
상기 반응 챔버의 나노입자 형성영역에 플라즈마를 인가하여 나노입자를 제조하고 상기 플라즈마가 인가되지 않으면 제조된 나노입자를 수용하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 플라즈마 인가는 전원부에 의해 상기 플라즈마를 펄스형태로 인가하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 펄스형태의 RF 주파수를 0~500 Hz로 하고, 및 플라즈마 소스에 전원을 0~600 W로 가하여 나노입자의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 펄스형태의 RF 주기 및 인가 시간(On 시간)을 조절하여 상기 나노입자의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 나노입자의 제조단계는 플라즈마와 상기 공급된 가스를 반응시켜 나노입자의 핵을 형성하고 및 상기 나노입자의 핵을 나노입자 형성영역에 고정시켜 성장시키는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 나노입자의 수용단계는 펄스 인가를 중단하여 상기 형성된 나노입자를 관성력에 의해 상기 나노입자 수용영역으로 이동시키는 단계임을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 나노입자의 수용단계가 나노입자를 포집하는 단계 및 나노입자를 기판에 증착하는 단계중 하나 이상을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 22항에 있어서, 상기 나노입자의 포집단계는 상기 수용장치에 DC 전원을 인가하여 나노입자를 전기적 인력으로 포집하는 단계임을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 22항에 있어서, 상기 나노입자의 포집단계는 상기 수용장치의 높이를 조절하여 상기 나노입자의 포집효율을 향상시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 22항에 있어서, 상기 나노입자의 포집단계는 상기 나노입자를 상기 수용장치에 설치된 히터로 어닐링(annealing)하여 결정질로 재가공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 압력고정 단계는 상기 공정가스 및 분위기 가스가 진공상태의 반응 챔버 내로 유입되면 반응 챔버의 압력을 1 mTorr ~ 대기압으로 고정하는 것을 특징으로 하는 저온 펄스 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법
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