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정보저장매체 및 정보기록재생장치{Information storage medium and information recording/reproducing apparatus}

  • 기술번호 : KST2015021435
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 재생 저역 노이즈를 개선할 수 있도록 된 구조의 초해상 정보저장매체 및 정보기록재생장치가 개시되어 있다. 이 개시된 정보저장매체에 있어서, 기판과; 기판 상에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과; 기록층의 상부 및/또는 하부에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 개시된 정보기록재생장치는 상기한 정보저장매체에 대해 정보의 기록/재생을 수행하는 것으로, 빔을 조사하는 광원과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈 및 정보저장매체에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기를 포함하는 픽업부와; 광검출기에서 검출된 신호를 처리하여 정보신호와 오차신호를 산출하는 신호처리부와; 신호처리부에서 검출된 신호로부터 광원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈의 구동을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G11B 7/12 (2013.01) G11B 7/2578 (2013.01) G11B 7/243 (2013.01)
CPC
출원번호/일자 1020040034906 (2004.05.17)
출원인 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0694047-0000 (2007.03.06)
공개번호/일자 10-2005-0110084 (2005.11.22) 문서열기
공고번호/일자 (20070312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.17)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황인오 대한민국 경기도용인시
2 김주호 대한민국 경기도용인시
3 김현기 대한민국 경기도수원시팔달구
4 김낙현 대한민국 경기도수원시영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0207062-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0075868-67
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0637208-74
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0107755-83
8 의견서
Written Opinion		 2006.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0107754-37
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0430558-29
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0700372-09
11 의견서
Written Opinion		 2006.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0700371-53
12 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0052848-33
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과;상기 기판 상에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 다른 물성의 화합물로 된 기록마크를 형성하고 상기 기록마크 주변은 상기 물질 각각의 물성이 유지되는 기록층과;상기 기록층의 상부 및/또는 하부에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
2 2
정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서,기판과;상기 기판 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과;상기 초해상재생층의 상부 및/또는 하부에 형성되며, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층으로, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 다른 물성의 화합물로 된 기록마크를 형성하고 상기 기록마크 주변은 상기 물질 각각의 물성이 유지되는 기록층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
3 3
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 상에는 광학적 및/또는 열적특성을 제어하는 적어도 일 층 이상의 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
4 4
제3항에 있어서, 상기 유전체층은, 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 불화물 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체
5 5
제4항에 있어서, 상기 유전체층은,산화규소(SiOX), 산화마그네슘(MgOX), 산화알루미늄(AlOX), 산화티타늄(TiOX), 산화바나듐(VOX), 산화크롬(CrOX), 산화니켈(NiOX), 산화질코늄(ZrOX), 산화게르마늄(GeOX), 산화아연(ZnOX), 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNX), 질화티타늄(TiNX), 질화질코늄(ZrNX), 질화게르마늄(GeNX), 탄화규소(SiC), 황화아연(ZnS), 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2), 불화마그네슘(MgF2) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체
6 6
정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과; 상기 초해상재생층 상에 형성된 제2유전체층과; 상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과; 상기 기록층 상에 형성된 제3유전체층과; 입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제3유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
7 7
정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과; 상기 기록층 상에 형성된 제2유전체층과; 상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과; 상기 초해상재생층 상에 형성된 제3유전체층과; 입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제3유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
8 8
정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 제1초해상재생층과; 상기 제1초해상재생층 상에 형성된 제2유전체층과; 상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 기록층과; 상기 기록층 상에 형성된 제3유전체층과; 상기 제3유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 제2초해상재생층과; 상기 제2초해상재생층 상에 형성된 제4유전체층과; 입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제4유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
9 9
정보기록재생장치로부터 입사된 빔의 분해능 이하 크기의 기록마크를 포함하는 정보저장매체에 있어서, 기판과; 상기 기판 상에 형성된 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 제1기록층과; 상기 제1기록층 상에 형성된 제2유전체층과; 상기 제2유전체층 상에 형성되는 것으로, 입사된 빔스폿의 일부 영역의 광학적 특성이 변화하는 초해상재생층과; 상기 초해상재생층 상에 형성된 제3유전체층과; 상기 제3유전체층 상에 형성되는 것으로, 적어도 두 가지 이상의 물질로 이루어지며, 입사된 기록파워의 빔에 의해 상기 물질이 서로 화학반응을 하여 기록마크를 형성하는 제2기록층과; 상기 제2기록층 상에 형성된 제4유전체층과; 입사빔이 투과되는 곳으로, 상기 제4유전체층 상에 형성된 커버층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
10 10
제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기록층은,상기 적어도 두 가지 이상의 물질들이 혼합 형성된 일층 구조로 이루어진 것을 특징으로 정보저장매체
11 11
제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기록층은,상기 적어도 두 가지 이상의 물질들 중 일부는 일층에 배치되고, 나머지는 그 상부 및/또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 정보저장매체
12 12
제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기록층은,Si, V, Cr, Co, Ni, Cu, Ge, Se, Nb, Mo, Ag, Sn, Sb, Te, Ti, Zr, W 및 란탄계 원소들 중에서 선택된 적어도 두 가지 이상의 물질을 포함하는 것으로,이 선택된 물질들이 일 층에 혼합 형성되거나, 이층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장매체
13 13
제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기록층은,순차로 적층 형성된 규소(Si) 재질층, 텅스텐(W) 재질층 및 규소(Si) 재질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
14 14
제1항, 제2항, 제6항, 제7항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 초해상재생층은,S, Se, Te 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 칼코게나이드(Chalcogenide) 상변화 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체
15 15
제14항에 있어서,상기 초해상재생층은,Se-S, Se-Te, S-Te, P-S, P-Te, P-Se, As-S, As-Se, As-Te, Sb-S, Sb-Se, Sb-Te, Si-S, Si-Se, Si-Te, Ge-S, Ge-Se, Ge-Te, Sn-S, Sn-Se, Sn-Te, Ag-S, Ag-Se, Ag-Te, Al-S, Al-Se, Al-Te, Ga-S, Ga-Se, Ga-Te, In-S, In-Se 및, In-Te 로 된 칼코게나이드 상변화 재료 및, 이들 상변화 재료에 대해 적어도 하나 이상의 다른 원소를 첨가하여 된 화합물 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체
16 16
제14항에 있어서, 상기 초해상재생층은,Sb-Te 칼코게나이드 상변화 재료와, Ge, Ag, In, Sb 및 Ga 중 적어도 어느 하나의 원소로 이루어진 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
17 17
제14항에 있어서, 상기 초해상재생층은,Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te계의 상변화 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
18 18
제1항, 제2항, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판의 적어도 일면이 반사코팅되어, 입사빔을 반사시킬 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 정보저장매체
19 19
제1항, 제2항, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 정보저장매체에 대하여 정보의 기록 및/또는 재생을 수행하는 것으로, 빔을 조사하는 광원과, 입사빔을 집속시켜 정보저장매체에 빔스폿이 형성되도록 하는 대물렌즈 및 상기 정보저장매체에서 반사된 빔을 수광하는 광검출기를 포함하는 픽업부와; 상기 광검출기에서 검출된 신호를 처리하여 정보신호와 오차신호를 산출하는 신호처리부와; 상기 신호처리부에서 검출된 신호로부터 상기 광원에서 출력되는 빔 파워 및 대물렌즈의 구동을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기록재생장치
20 20
제9항에 있어서,상기 제1 및 제2기록층 각각은,상기 적어도 두 가지 이상의 물질들이 혼합 형성된 일층 구조로 이루어진 것을 특징으로 정보저장매체
21 21
제9항에 있어서,상기 제1 및 제2기록층 각각은,상기 적어도 두 가지 이상의 물질들 중 일부는 일층에 배치되고, 나머지는 그 상부 및/또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 정보저장매체
22 22
제9항에 있어서,상기 제1 및 제2기록층 각각은,Si, V, Cr, Co, Ni, Cu, Ge, Se, Nb, Mo, Ag, Sn, Sb, Te, Ti, Zr, W 및 란탄계 원소들 중에서 선택된 적어도 두 가지 이상의 물질을 포함하는 것으로,이 선택된 물질들이 일 층에 혼합 형성되거나, 이층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 정보저장매체
23 23
제9항에 있어서,상기 제1 및 제2기록층 각각은,순차로 적층 형성된 규소(Si) 재질층, 텅스텐(W) 재질층 및 규소(Si) 재질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
24 24
제8항에 있어서,상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,S, Se, Te 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 칼코게나이드(Chalcogenide) 상변화 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체
25 25
제24항에 있어서,상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,Se-S, Se-Te, S-Te, P-S, P-Te, P-Se, As-S, As-Se, As-Te, Sb-S, Sb-Se, Sb-Te, Si-S, Si-Se, Si-Te, Ge-S, Ge-Se, Ge-Te, Sn-S, Sn-Se, Sn-Te, Ag-S, Ag-Se, Ag-Te, Al-S, Al-Se, Al-Te, Ga-S, Ga-Se, Ga-Te, In-S, In-Se 및, In-Te 로 된 칼코게나이드 상변화 재료 및, 이들 상변화 재료에 대해 적어도 하나 이상의 다른 원소를 첨가하여 된 화합물 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정보저장매체
26 26
제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,Sb-Te 칼코게나이드 상변화 재료와, Ge, Ag, In, Sb 및 Ga 중 적어도 어느 하나의 원소로 이루어진 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
27 27
제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2초해상재생층 각각은,Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te계의 상변화 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보저장매체
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01751753 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP19538351 JP 일본 FAMILY
3 US07368157 US 미국 FAMILY
4 US20050254407 US 미국 FAMILY
5 WO2005112018 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP1751753 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1751753 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2007538351 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2007538351 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2007538351 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2005254407 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7368157 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2005112018 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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