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반도체 소자에 삽입되는 다결정 실리콘 적층체에 있어서,상부의 제1 절연층;하부의 제2 절연층;상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되며, 적어도 하나의 입자 경계가 형성되는 다결정 실리콘층을 포함하고,상기 상부에서 상기 하부 방향으로 이온을 주입하여 형성되는 적어도 하나의 이온 고농도층을 더 포함하며,상기 이온 고농도층은, 상기 다결정 실리콘 적층체의 누설전류를 측정하여, 측정된 상기 누설전류를 소정의 설정값으로 제어하기 위한 상기 다결정 실리콘층의 전위장벽 제어 목표치를 설정하고, 상기 다결정 실리콘층의 전위장벽을 설정된 상기 목표치로 제어하는 상기 이온 고농도층을 형성하기 위한 환경을 결정한 후, 결정된 상기 환경 하에서 상기 이온을 주입하여 형성되며, 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제1 절연층 내 또는 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제2 절연층 내에 형성되는 다결정 실리콘 적층체
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제1항에 있어서,상기 이온은 수소 또는 중수소인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 적층체
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제1항에 있어서,상기 이온 고농도층이 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제1 절연층 내에 형성되면,상기 입자 경계 내 결함은 상기 이온 고농도층에서 확산된 상기 이온과 결합되어 보호 처리되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 적층체
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제1항에 있어서,상기 이온 고농도층이 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제2 절연층 내에 형성되면,상기 다결정 실리콘층에는 상기 이온의 주입으로 인해 결함이 발생하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 적층체
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상부의 제1 절연층, 하부의 제2 절연층, 및 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되며, 적어도 하나의 입자 경계가 형성되는 다결정 실리콘층을 포함하는 다결정 실리콘 적층체의 누설전류 제어 방법에 있어서,상기 다결정 실리콘 적층체의 누설전류를 측정하는 단계;측정된 상기 누설전류를 소정의 설정값으로 제어하기 위한, 상기 다결정 실리콘층의 전위장벽 제어 목표치를 설정하는 단계;상기 다결정 실리콘층의 전위장벽을 설정된 상기 목표치로 제어하는 이온 고농도층을 형성하기 위한 환경을 결정하는 단계;결정된 상기 환경 하에서 상기 상부에서 상기 하부 방향으로 이온을 주입하여, 상기 이온 고농도층을 형성하는 단계; 및상기 이온 고농도층이 형성된 이후, 상기 다결정 실리콘 적층체에 후속 열처리를 실시하는 단계를 포함하고,상기 환경은 상기 이온의 주입 에너지 크기 및 상기 이온의 주입량을 포함하며,상기 이온 고농도층은 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제1 절연층 내 또는 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제2 절연층 내에 형성되는 다결정 실리콘 적층체의 누설전류 제어 방법
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삭제
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제5항에 있어서,상기 후속 열처리는 400℃ 내지 500℃의 온도로 진행되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 적층체의 누설전류 제어 방법
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제5항에 있어서,상기 이온 고농도층이 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제1 절연층 내에 형성되면,상기 이온 고농도층 내의 상기 이온은 상기 후속 열처리를 통해 상기 다결정 실리콘층으로 확산되며,확산된 상기 이온은 상기 입자 경계 내 결함과 결합되어, 상기 다결정 실리콘층의 전위장벽을 낮추는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 적층체의 누설전류 제어 방법
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제5항에 있어서,상기 이온 고농도층이 상기 다결정 실리콘층과 인접한 상기 제2 절연층 내에 형성되면,상기 다결정 실리콘층에는 상기 이온의 주입으로 인해 결함이 발생하여, 상기 다결정 실리콘층의 전위장벽을 높이는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 적층체의 누설전류 제어 방법
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