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전자빔 조사를 이용한 불소계 고분자의 표면 개질 방법 및 이를 이용한 초소수성 표면의 제조

  • 기술번호 : KST2015022654
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔 조사를 이용하여 고분자 재료의 표면을 개질하고, 전자빔 조사량을 조절하여 초소수성 표면을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표면을 개질하는 방법은, 전자빔을 조사함으로써 표면의 구조에 변화를 주는 구조적 표면 개질 뿐만 아니라, 표면의 화학조성에 변화를 주는 화학적 표면 개질을 나타내며, 전자빔의 조사량을 조절함으로써 고분자 재료의 표면이 초소수성을 나타낸다. 따라서, 본 발명에 따른 전자빔을 조사하여 초소수성 표면으로 개질하는 방법은 초소수성 표면을 필요로 하는 도료산업, 접착제산업, 섬유산업, 정밀화학산업, 전기전자산업, 자동차산업, 금속산업, 디스플레이 산업 등에서 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C08F 8/00 (2006.01) C08F 14/18 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100086541 (2010.09.03)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-1185835-0000 (2012.09.19)
공개번호/일자 10-2012-0024016 (2012.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20121002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재학 대한민국 대전광역시 유성구
2 이은제 대한민국 대전광역시 유성구
3 정찬희 대한민국 광주광역시 광산구
4 황인태 대한민국 서울특별시 강북구
5 노영창 대한민국 대전광역시 유성구
6 조성오 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 경상북도 경주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0574476-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2010-5177354-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0001692-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0135660-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0358370-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0358371-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0549592-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
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번호 청구항
1 1
불소계 고분자 재료에 전자빔을 조사하는 단일공정으로 표면의 물리적 개질 및 화학적 개질을 동시에 발생시키는 초소수성 표면으로 개질하는 방법에 있어서,상기 전자빔의 에너지는 10-500 keV이고; 전류밀도는 1-20 ㎂/cm2이며; 조사량은 4 X 1017 내지 1 X 1018 electrons/cm2인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 불소계 고분자 재료는 필름 형태의 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetra fluoroethylene, PTFE), 플루오리네이티드 에틸렌 프로필렌(Fluorinated ethylene propylene, FEP), 테트라플루오로에틸렌 퍼플루오로알콕시 비닐 에테르 공중합체(Poly(tetrafluoroethylene-co-perfluoroalkyl vinyl ether), PFA), 에틸렌 테트라플루오로에틸렌 공중합체(Poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene), ETFE) 및 폴리비닐리덴플루오라이드(Poly(vinylidene fluoride), PVDF)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 불소계 고분자 필름은 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetra fluoroethylene, PTFE) 필름인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 불소계 고분자 필름의 두께는 1~500 ㎛인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 전자빔의 에너지는 30 keV인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 전자빔의 전류밀도는 8 ㎂/cm2인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 전자빔의 조사량은 6×1017 electrons/cm2인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면으로 개질하는 방법
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1 JP05226827 JP 일본 FAMILY
2 JP24057143 JP 일본 FAMILY
3 US20120056108 US 미국 FAMILY

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1 JP2012057143 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5226827 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2012056108 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국원자력연구원 원자력연구개발사업 방사선 이용 기능성 표면 처리 기술 개발