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액정셀의 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극과 반도체층 사이에 게이트 절연층을 구비하는 액정표시소자에 있어서,상기 게이트 절연층은 BCB(Benzocyclobutene), SOG(Spin on Glass), Acryl 등을 포함하는 유기 물질로 형성됨과 아울러 상기 반도체층과의 접합력이 강화되게끔 그 표면이 NH3, O2, N2, He, H2, O2+Ar 가스들 중 적어도 하나 이상의 가스를 이용하여 계면 처리되고, 상기 게이트 절연층에 사용되는 유기 물질의 유전 상수가 2 미만으로 작은 경우에는 상기 게이트 절연층이 유전 상수가 2 이상인 유기 물질로 형성된 다른 유기 절연층과 함께 복수층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 유기 물질은 무기 물질인 Si를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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게이트 전극이 형성된 기판 상에 BCB(Benzocyclobutene), SOG(Spin on Glass), Acryl 등을 포함하는 유기 물질을 이용하여 게이트 절연층을 형성하는 단계와,상기 게이트 절연층의 표면을 NH3, O2, N2, He, H2, O2+Ar 가스들 중 적어도 하나 이상의 가스를 이용하여 계면 처리하는 단계와,상기 계면 처리된 게이트 절연층 상에 액정셀의 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 절연층에 사용되는 유기 물질의 유전 상수가 2 미만으로 작은 경우에는 상기 게이트 절연층을 유전 상수가 2 이상인 유기 물질로 형성되는 다른 유기 절연층과 함께 복수층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 스핀 코팅, 롤링 및 디핑 중 어느 한 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 유기 물질은 무기 물질인 Si를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연층의 표면을 계면 처리하는 방법은 NH3, O2, N2, He 및 H2 가스들 중 적어도 하나 이상의 가스를 이용하여 플라즈마 화학적 기상 증착법을 통해 계면 처리하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연층의 표면을 계면 처리하는 방법은 O2+Ar 가스를 이용하여 스퍼터링 방법을 통해 계면 처리하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연층의 표면을 계면 처리하는 방법은 O2, N2 가스들 중 적어도 하나 이상을 이용하여 상압 화학적 기상 증착법을 통해 계면 처리하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 반도체층은 스퍼터링 방법과 플라즈마 화학적 기상 증착법 중 어느 한 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 반도체층은 스퍼터링 방법과 플라즈마 화학적 기상 증착법 중 어느 한 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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