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박막트랜지스터의 제조방법

기술번호 : KST2015023276
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 소오스전극 및 드레인전극과 오믹콘택층 사이의 양호한 식각선택비를 얻기 위해서 백채널(Back Channel) 영역 상부만을 노출시킨 상태에서 박막트랜지스터의 소오스/드레인전극을 플라즈마식각하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 소오스/드레인전극 및 하부 금속층의 단선불량을 줄이고, 실리콘질화막의 두께를 얇게 함으로써 소비전력을 저감시킨 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01)
출원번호/일자	1019990035738 (1999.08.26)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-0603843-0000 (2006.07.14)
공개번호/일자	10-2001-0019380 (2001.03.15) 문서열기
공고번호/일자	(20060724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.07.26)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	황광조	대한민국	경기도안양시동안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	네이트특허법인	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *, *호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	1999.08.26	수리 (Accepted)	1-1-1999-0102164-93
2	보정통지서 Request for Amendment	1999.09.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-1999-0024183-35
3	서지사항 보정서 Amendment to Bibliographic items	1999.09.14	수리 (Accepted)	1-1-1999-0113117-15
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2001.05.17	수리 (Accepted)	4-1-2001-0059077-39
5	출원심사청구서 Request for Examination	2004.07.26	수리 (Accepted)	1-1-2004-0331514-61
6	대리인 변경 신고서 Agent change Notification	2004.07.26	수리 (Accepted)	1-1-2004-0331513-15
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.03.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0140266-23
8	의견서 Written Opinion	2006.05.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0320777-73
9	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.05.08	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0320776-27
10	등록결정서 Decision to grant	2006.07.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0389111-83
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 게이트전극과, 몰리브덴(Mo)으로 된 소오스전극 및 드레인전극과, 반도체층과, 수소화된 불순물 아몰퍼스 실리콘(n+ a-Si:H)으로 된 오믹콘택층을 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법으로서, 상기 소오스전극 및 드레인전극과, 상기 오믹콘택층의 패터닝단계에서, 상기 반도체층이 형성될 영역의 상부를 제외하고, 상기 소오스전극 및 드레인전극과, 상기 오믹콘택층을 동시에 플라즈마식각하여, 1차 소오스전극 및 드레인전극과, 1차 오믹콘택층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 백채널영역 상부만을 오픈시키고, 상기 소오스전극 및 드레인전극과, 상기 오믹콘택층을 동시에 플라즈마식각하여, 2차 소오스전극 및 드레인전극과, 2차 오믹콘택층을 형성하는 단계 를 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마식각 공정에서 사용된 플라즈마가스는 Cl2+O2 플라즈마가스인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마식각 공정에서 사용된 플라즈마가스는 Cl2+O2 플라즈마가스와 CF4 플라즈마가스가 혼합된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마식각 공정에서 사용된 플라즈마가스는 Cl2+O2 플라즈마가스와 SF6 플라즈마가스가 혼합된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
5	5 기판상에 제 1 금속을 증착하고, 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계와,상기 게이트전극을 포함하는 상기 기판상의 전면에 걸쳐 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막상에 반도체물질과, 오믹콘택용 물질과, 제 2 금속과, 포토레지스트막을 차례로 성막하고, 상기 포토레지스트막을 패터닝하여 제 1 포토레지스트패턴을 형성하는 단계와,상기 제 1 포토레지스트패턴을 마스크로 해서, 상기 제 1 금속과, 상기 오믹콘택용물질과, 상기 반도체물질을 동시에 플라즈마 가스를 이용한 제 1 플라즈마 식각하여 반도체층을 형성함과 동시에 오믹콘택층의 1차패턴과 소오스전극 및 드레인전극의 1차패턴을 형성하는 단계와,상기 제 1 포토레지스트패턴을 식각하여 제거한 다음, 포토레지스트막을 도포하고, 패터닝하여 상기 반도체층의 백채널영역 상부만을 오픈시킨 제 2 포토레지스트패턴을 형성하는 단계와,상기 제 2 포토레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 소오스전극 및 드레인전극의 1차패턴과 오믹콘택층의 1차패턴을 동시에 상기 플라즈마 가스를 이용한 제 2 플라즈마식각하여 소오스전극 및 드레인전극의 2차패턴과, 오믹콘택층의 2차패턴을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 플라즈마가스는 Cl2+O2 플라즈마가스인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 플라즈마가스는 Cl2+O2 플라즈마가스와 CF4 플라즈마가스가 혼합된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
8	8 제 5 항에 있어서,상기 플라즈마가스는 Cl2+O2 플라즈마가스와 SF6 플라즈마가스가 혼합된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
9	9 제 5 항에 있어서,상기 제 2 금속은 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
10	10 제 5 항에 있어서,상기 오믹콘택층은 n+ a-Si:H인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
11	11 제 1 항에 있어서,상기 반도체층의 상부로 상기 제 2 포토레지스트패턴에 의해 오픈된 백채널영역의 면적이 조절되어 상기 몰리브덴과 상기 불순물 아몰퍼스 실리콘(n+ a-Si:H)의 식각선택비는 10:1이 되도록 한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0603843-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 19990826 출원 번호 : 1019990035738 공고 연월일 : 20060724 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060704 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 박막트랜지스터의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190715

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	675,000 원	2006년 07월 18일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2009년 06월 22일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2010년 06월 21일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2011년 06월 15일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2012년 06월 28일	납입
제 8 년분	금 액	518,000 원	2013년 06월 19일	납입
제 9 년분	금 액	518,000 원	2014년 06월 30일	납입
제 10 년분	금 액	845,000 원	2015년 06월 29일	납입
제 11 년분	금 액	845,000 원	2016년 06월 30일	납입
제 12 년분	금 액	845,000 원	2017년 06월 15일	납입
제 13 년분	금 액	965,000 원	2018년 06월 15일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	1999.08.26	수리 (Accepted)	1-1-1999-0102164-93
2	보정통지서	1999.09.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-1999-0024183-35
3	서지사항 보정서	1999.09.14	수리 (Accepted)	1-1-1999-0113117-15
4	출원인정보변경(경정)신고서	2001.05.17	수리 (Accepted)	4-1-2001-0059077-39
5	출원심사청구서	2004.07.26	수리 (Accepted)	1-1-2004-0331514-61
6	대리인 변경 신고서	2004.07.26	수리 (Accepted)	1-1-2004-0331513-15
7	의견제출통지서	2006.03.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0140266-23
8	의견서	2006.05.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0320777-73
9	명세서등보정서	2006.05.08	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0320776-27
10	등록결정서	2006.07.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0389111-83
11	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
12	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
13	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
14	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95


기술번호	KST2015023276
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막트랜지스터의 제조방법
기술개요	본 발명은 소오스전극 및 드레인전극과 오믹콘택층 사이의 양호한 식각선택비를 얻기 위해서 백채널(Back Channel) 영역 상부만을 노출시킨 상태에서 박막트랜지스터의 소오스/드레인전극을 플라즈마식각하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 소오스/드레인전극 및 하부 금속층의 단선불량을 줄이고, 실리콘질화막의 두께를 얇게 함으로써 소비전력을 저감시킨 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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