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빛을 발산하는 광원과; 상기 광원의 빛을 투과시키는 윈도우와; 상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와; 상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하는 스토리지 캐패시터와; 스위치 게이트 전극, 스위치 반도체층, 스위치 소스/드레인 전극, 상기 스위치 반도체층으로 입사되는 빛을 차광하고 상기 스위치 게이트 전극과 전기적으로 연결된 차광막을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터 를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 1에 있어서, 상기 차광막은 상기 스위치 소스/드레인 전극 상부에 형성된 절연막의 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 2에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 스위치 게이트 전극 상부까지 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 김지소자
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빛을 발산하는 광원과; 픽셀 내에 위치하며 상기 광원의 빛을 투과시키는 원도우와; 상기 윈도우로부터 투과된 빛의 세기에 따라 광전류를 생성하는 센서 박막 트랜지스터와; 상기 센서 박막 트랜지스터에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하는 스토리지 캐패시터와; 스위치 게이트 배선 및 그 일측에 형성된 스위치 게이트 전극, 스위치 반도체층, 스위치 소스/드레인 전극, 상기 스위치 반도체층으로 입사되는 빛을 차광하고 상기 스위치 게이트 배선과 전기적으로 연결된 차광막을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하의 방출을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터 를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 4에 있어서, 상기 차광막은 상기 스위치 소스/드레인 전극 상부에 형성된 절연막의 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 5에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 스위치 게이트 배선 상부까지 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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기판을 구비하는 단계와, 상기 기판 상에 제 1 금속층을 증착하고 패터닝하여 게이트 배선과 게이트 전극을 포함하는 스위치 게이트 패턴과, 제 1 스토리지 전극과, 게이트 배선과 게이트 전극을 포함하는 센서 게이트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 스위치 게이트 패턴과 상기 센서 게이트 패턴 및 상기 제 1 스토리지 전극이 형성된 기판상의 전면에 제 1 절연막을 증착하는 단계와; 상기 스위치 및 센서 게이트 전극 상부의 제 1 절연막 상에 각각 스위치 액티브층 및 센서 액티브층을 형성하는 단계와; 제 2 금속층으로 상기 스위치 액티브층 상에 스위치 드레인 전극 및 스위치소스 전극과, 상기 센서 액티브층상에 센서 드레인 전극 및 센서 소스 전극과, 상기 제 1 스토리지 전극 상부의 제 1 절연막 상에 제 2 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 금속층 상의 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계와; 상기 스위치 게이트 패턴 상의 소정의 위치에 콘택홀을 형성하는 단계와; 제 3 금속층을 증착하고 패터닝하여 상기 스위치 액티브층의 상기 제 2 절연막 위에 상기 콘택홀을 통해 상기 스위치 게이트 패턴과 전기적으로 접촉하는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 스위치 게이트 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 스위치 게이트 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 스위치 게이트 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
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