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박막 트랜지스터형 광 감지소자

  • 기술번호 : KST2015023326
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요약 본 발명은 광 감지소자에 관한 것으로, 광 감지소자에 있어서 빛을 받아들이는 윈도우의 크기를 크게 하고, 센서부의 박막 트랜지스터를 복수개로 형성하여 낮은 휘도의 광원부 빛에 의해서도 많은 양의 광전류를 형성하는데 그 목적이 있다.본 발명은 빛을 발산하는 광원과; 상기 광원의 빛을 투과시키는 윈도우와; 상기 윈도우를 투과하여 피사체에 반사된 빛을 감지해서 광전류를 생성하는 복수개의 센서 박막 트랜지스터와; 상기 센서 박막 트랜지스터에 의해 생성된 광전류를 저장하는 스토리지 캐패시터와; 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하를 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자에 관해 개시하고 있다. 색인어 누락
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 27/1255(2013.01) H01L 27/1255(2013.01)
출원번호/일자 1019990000893 (1999.01.14)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0608571-0000 (2006.07.27)
공개번호/일자 10-2000-0050791 (2000.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20060803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.01.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장윤경 대한민국 경기도군포시
2 김세준 대한민국 서울특별시 용산구
3 김수만 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.01.14 수리 (Accepted) 1-1-1999-5006923-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.08.31 수리 (Accepted) 4-1-1999-0112949-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
4 출원심사청구서
Request for Examination
2004.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-5006291-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0425688-04
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0612647-27
7 대리인변경신고서
Agent change Notification
2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0612648-73
8 의견서
Written Opinion
2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-5144002-38
9 대리인변경신고서
Agent change Notification
2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-5144001-93
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0695040-03
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.11.29 무효 (Invalidation) 1-1-2005-5144003-84
12 의견서
Written Opinion
2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0695041-48
13 보정요구서
Request for Amendment
2006.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0000637-66
14 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2006.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0020281-74
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0140257-12
16 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2006.04.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0010942-68
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0280883-23
18 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0508653-74
19 의견서
Written Opinion
2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0508654-19
20 등록결정서
Decision to grant
2006.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0426852-09
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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기판과;상기 기판 상에 형성된 센서 게이트 전극과, 복수개의 센서 반도체층과, 센서 드레인 전극 및 센서 소스 전극을 포함하는 센서 박막 트랜지스터와;상기 기판 상에 형성되며, 투명의 제 1 스토리지 전극과, 상기 센서 소스 전극과 연결된 제 2 스토리지 전극과, 상기 제 1 스토리지 전극과 전기적으로 접촉하는 제 3 스토리지 전극과, 상기 제 1, 2, 3 스토리지 전극 사이에 각각 위치한 제 1, 2 절연막을 포함하는 스토리지 캐패시터와;상기 기판 상에 형성된 스위치 게이트 전극과, 복수개의 스위치 반도체층과 상기 제 2 스토리지 전극과 연결된 스위치 드레인 전극과, 스위치 소스 전극을 포함하는 스위치 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 5에 있어서,상기 투명의 제 1 내지 제 3 전극을 이루는 물질은, ITO와 TiO, SnO2로 구성된 집단에서 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 5에 있어서,상기 제 1 스토리지 전극과 상기 제 3 스토리지 전극은 상기 제 3 스토리지 전극 하부의 제 2 절연막 및 제 1 절연막을 수직으로 관통하여 상기 제 1 스토리지 전극 상부까지 형성된 콘택홀을 통해 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
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청구항 5에 있어서,상기 제 1 스토리지 전극과 상기 제 3 스토리지 전극은 상기 제 3 스토리지 전극 하부의 제 2 절연막 및 제 1 절연막을 수직으로 관통하여 상기 제 1 스토리지 전극 상부까지 형성된 콘택홀을 통해 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 광 감지소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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