맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막트랜지스터형 광 감지센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023328
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TFT형 광 감지소자에 관한 것으로, 광 전류를 생성하는 센서-TFT와 광전류를 전하의 형태로 저장하는 충전영역과, 충전영역의 전하를 구동회로의제어신호에 따라 선택적으로 방출하는 스위치-TFT를 포함하고, 상기 센서-TFT와 스위치-TFT의 구성요소가 동일층에 형성되는 광 감지소자에 있어서, 상기 스위치-TFT의 스위치 반도체층을 폴리실리콘으로 형성하고, 상기 센서-TFT의 반도체층을 비정질실리콘으로 형성함으로써 상기 폴리실리콘으로 형성된 스위치 반도체층으로 인해더욱 빠른 스위치 동작특성을 갖는 TFT형 광 감지소자를 제작할 수 있고, 또한 폴리실리콘층으로 형성된 스위치 반도체층은 빛에 영향을 받지 않음으로 차광막을 형성하는 단계를 거치지 않는 공정상의 단순화를 꾀하여 제품의 수율을 높일 수 있다. 색인어 누락
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01)
출원번호/일자 1019990004755 (1999.02.10)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0575032-0000 (2006.04.24)
공개번호/일자 10-2000-0055884 (2000.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20060428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.10)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김세준 대한민국 서울특별시용산구
2 김정현 대한민국 경기도군포시
3 이상걸 대한민국 서울특별시강남구
4 박용인 대한민국 서울특별시양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5056080-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.08.31 수리 (Accepted) 4-1-1999-0112949-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2004.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-0053923-88
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068977-71
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0524683-10
8 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2005.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0740416-12
9 의견서
Written Opinion		 2005.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0740418-03
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0740417-57
11 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0224951-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
센서 게이트전극, 절연층, 수소를 포함한 비정질실리콘으로 형성된 센서 반도체층이 순차 적층되고, 상기 절연층과 상기 센서 반도체층 상부에 센서 소스전극 및 센서 드레인전극이 적층되어 광전류를 생성하는 센서 박막트랜지스터와; 상기 센서 게이트전극과 동일층에 형성되는 제 1 스토리지전극, 상기 절연층, 상기 센서 소스전극과 연결된 제 2 스토리지전극이 순차 적층되고, 상기 센서 박막트랜지스터에서 생성된 전류를 충전하는 충전부와; 상기 센서 게이트전극과 동일층에 형성되는 스위치 게이트전극, 상기 절연층, 폴리실리콘으로 형성된 스위치 반도체층이 순차 적층되되 상기 스위치반도체층은 센서 반도체층과 동일층에 형성되며, 상기 절연층과 상기 스위치 반도체층 상부에 스위치 소스전극 및 상기 제2스토리지전극과 연결된 스위치 드레인전극이 적층되어 제어신호에 따라 상기 충전부에 충전된 전류를 선택적으로 방출하는 스위치 박막트랜지스터를 포함하는 박막트랜지스터형 광 감지소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘인 스위치 반도체층과 상기 아몰퍼스실리콘인 센서 반도체층이 동일층에 형성되는 박막트랜지스터형 광 감지소자
3 3
기판 위에 도전성 금속을 증착하고, 이를 패터닝하여 각각 소정거리를 두고스위치 게이트전극과 제 1 스토리지전극과 센서 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 스위치 게이트전극, 제 1 스토리지전극, 센서게이트전극이 형성된 기판위에 절연물질을 증착하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연층 위에 비정질실리콘을 증착하여 반도체층을 형성하고, 연 속으로 과잉 도핑된 반도전성 물질을 증착하여 옴익콘택층을 형성하는 단계와; 상기 옴익콘택층이 형성된 반도체층에서 상기 스위치 게이트전극의 상부에 증착된 비정질 실리콘을 부분적으로 결정화하여 폴리실리콘으로 형성하는 단계와; 상기 스위치 게이트전극의 상부가 폴리실리콘화된 반도체층을 패터닝하여 상기 스위치 게이트전극 위에는 폴리실리콘인 스위치 반도체층이, 상기 센서 게이트전극 위에는 비정질실리콘인 센서 반도체층이 각각 아일랜드 형태로 형성되도록 하는 단계와; 상기 반도체층과 옴익콘택층을 패터닝하여 상기 스위치 게이트전극 상부의 폴리실리콘화된 반도체층에 소정간격 대응되는 스위치 소스전극과 스위치 드레인전극을 형성하고, 상기 센서 게이트전극 상부의 비정질실리콘인 반도체층 위에 소정간격 대응되는 센서 소스전극과 센서 드레인전극을 형성하고, 상기 제 1 스토리지절연층 상부에 상기 스위치 드레인전극과 센서 소스전극과 연결되는 제 2 스토리지전극을 형성하는 단계와; 상기 스위치 소스전극 및 드레인전극과 이들 전극사이에 노출되고 폴리실리콘으로 형성된 스위치 반도체층과, 상기 제 2 스토리지전극과, 상기 센서 소스/드레인전극과 이들 전극사이에 노출된 비정질 실리콘인 센서반도체층 위에 투명 절연성물질을 증착하여 보호층을 형성하는 단계 를 포함하는 박막트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화하는 방법은 엑시머레이저, 아르곤레이저, 이온빔 방법중 하나인 박막트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
5 4
제 3 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화하는 방법은 엑시머레이저, 아르곤레이저, 이온빔 방법중 하나인 박막트랜지스터형 광 감지소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.