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액정셀의 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극과 액티브층 사이에 게이트 절연층을 구비하는 액정표시소자에 있어서,유기물질로 구성되며 기판상에 상기 게이트 전극에 의해 단차가 형성되지 않도록 평탄하게 형성된 게이트 절연층과,유기 물질과 무기 물질이 소정 비율로 혼합된 혼합 재료로 구성되며 상기 게이트 절연층 상에 형성된 중간 절연층과,상기 중간 절연층 상에 형성되며 반도체 물질로 구성된 액티브층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 혼합 재료는 벤조싸이클로부텐(Benzocyclobutene : BCB), 스핀 온 글래스(Spin on Glass : SOG) 및 아크릴(Acryl) 중 어느 한 유기 물질을 주원료로 하고, 무기 물질이 최소한 30% 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 혼합 재료에는 Si, O, N 및 F의 무기 물질들 중 적어도 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연층에 사용되는 유기 물질은 3 이상의 유전 상수 값을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 중간 절연층의 두께는 300Å 이하인 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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기판상에 게이트 전극에 의해 단차가 형성되지 않도록 평탄하게 유기물질로 구성된 게이트 절연층을 형성하는 단계와,상기 게이트 절연층 상에 유기 물질과 무기 물질이 소정 비율로 혼합된 혼합 재료로 구성된 중간 절연층을 형성하는 단계와,상기 중간 절연층 상에 반도체 물질로 액정셀의 박막 트랜지스터를 구성하는 액티브층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 혼합 재료는 벤조싸이클로부텐(Benzocyclobutene : BCB), 스핀 온 글래스(Spin on Glass : SOG) 및 아크릴(Acryl) 중 어느 한 유기 물질을 주원료로 하고, 무기 물질이 최소한 30% 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 혼합 재료에는 Si, O, N 및 F의 무기 물질들 중 적어도 하나 이상이 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 중간 절연층은 스핀 코팅, 롤링 및 디핑 중 어느 한 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 중간 절연층의 두께를 300Å 이하로 하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 게이트 절연층에 사용되는 유기 물질은 3 이상의 유전 상수 값을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 스핀 코팅 방법에 의해 단차가 형성되지 않도록 평탄하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 스핀 코팅 방법에 의해 단차가 형성되지 않도록 평탄하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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