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박막트랜지스터의 게이트전극 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015023364
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 기판상에 구리막과 티타늄막을 차례로 증착하는 단계와, 하나의 식각액을 이용하여 소정의 패턴에 따라 제 1 게이트금속인 구리막과 제 2 게이트금속인 티타늄막을 동시에 식각하여 이중층 구조의 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 게이트전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 티타늄막을 사용하여 종래보다 게이트전극의 전체 두께를 감소시킬 수 있기 때문에 고집적화에 유리하고, 제 1 및 제 2 게이트금속을 동시에 식각함으로써, 식각공정을 단순화시킬 수 있기 때문에 비용 및 시간을 절감할 수 있는 장점을 가진다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01)
출원번호/일자	1019990030737 (1999.07.28)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-0596468-0000 (2006.06.27)
공개번호/일자	10-2001-0011390 (2001.02.15) 문서열기
공고번호/일자	(20060703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.07.06)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	우재익	대한민국	경기도안산

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	네이트특허법인	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *, *호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	1999.07.28	수리 (Accepted)	1-1-1999-0086589-17
2	직권정정통지서 Notice of Ex officio Correction	1999.08.14	수리 (Accepted)	1-5-1999-0021607-88
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	1999.08.31	수리 (Accepted)	4-1-1999-0112949-43
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2001.05.17	수리 (Accepted)	4-1-2001-0059077-39
5	대리인 변경 신고서 Agent change Notification	2004.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2004-0298834-46
6	출원심사청구서 Request for Examination	2004.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2004-0298835-92
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0121039-86
8	의견서 Written Opinion	2006.04.24	수리 (Accepted)	1-1-2006-0284808-66
9	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.04.24	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0284807-10
10	등록결정서 Decision to grant	2006.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0360103-05
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판상에 구리막과 티타늄막을 차례로 증착하는 단계와,하나의 식각액을 이용하여 소정의 패턴에 따라 제 1 게이트금속인 구리막과 제 2 게이트금속인 티타늄막을 동시에 식각하여 이중층 구조의 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 게이트전극의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 하나의 식각액은 HF와 HNO3+CH3COOH의 혼합물질인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 식각액은, 상기 HF는 0%초과 0
4	4 제 1 항에 있어서,상기 티타늄막의 두께는 500Å인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 구리막의 두께는 2000Å인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
6	6 게이트전극과, 소오스전극 및 드레인전극으로 구성되고, 스위칭기능을 하는 박막트랜지스터에 있어서,상기 게이트전극은 하나의 식각액에 의해 식각된 구리막의 제 1 게이트층과, 상기 제 1 게이트층 상에 티타늄막의 제 2 게이트층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극
7	7 제 6 항에 있어서,상기 하나의 식각액은 HF와 HNO3+CH3COOH이 혼합된 물질인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극
8	8 제 7 항에 있어서,상기 식각액은, 상기 HF는 0%초과 0
9	9 제 6 항에 있어서,상기 티타늄막의 두께는 500Å인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극
10	10 제 6 항에 있어서,상기 구리막의 두께는 2000Å인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극
11	10 제 6 항에 있어서,상기 구리막의 두께는 2000Å인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 게이트전극

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0596468-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 19990728 출원 번호 : 1019990030737 공고 연월일 : 20060703 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060626 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 박막트랜지스터의 게이트전극 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190628

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	621,000 원	2006년 06월 28일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2009년 03월 23일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2010년 03월 18일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2011년 03월 29일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2012년 03월 30일	납입
제 8 년분	금 액	480,000 원	2013년 03월 29일	납입
제 9 년분	금 액	480,000 원	2014년 03월 28일	납입
제 10 년분	금 액	790,000 원	2015년 05월 28일	납입
제 11 년분	금 액	790,000 원	2016년 05월 30일	납입
제 12 년분	금 액	790,000 원	2017년 05월 15일	납입
제 13 년분	금 액	910,000 원	2018년 05월 15일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	1999.07.28	수리 (Accepted)	1-1-1999-0086589-17
2	직권정정통지서	1999.08.14	수리 (Accepted)	1-5-1999-0021607-88
3	출원인정보변경(경정)신고서	1999.08.31	수리 (Accepted)	4-1-1999-0112949-43
4	출원인정보변경(경정)신고서	2001.05.17	수리 (Accepted)	4-1-2001-0059077-39
5	대리인 변경 신고서	2004.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2004-0298834-46
6	출원심사청구서	2004.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2004-0298835-92
7	의견제출통지서	2006.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0121039-86
8	의견서	2006.04.24	수리 (Accepted)	1-1-2006-0284808-66
9	명세서등보정서	2006.04.24	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0284807-10
10	등록결정서	2006.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0360103-05
11	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
12	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
13	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
14	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95


기술번호	KST2015023364
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막트랜지스터의 게이트전극 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 기판상에 구리막과 티타늄막을 차례로 증착하는 단계와, 하나의 식각액을 이용하여 소정의 패턴에 따라 제 1 게이트금속인 구리막과 제 2 게이트금속인 티타늄막을 동시에 식각하여 이중층 구조의 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터의 게이트전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 티타늄막을 사용하여 종래보다 게이트전극의 전체 두께를 감소시킬 수 있기 때문에 고집적화에 유리하고, 제 1 및 제 2 게이트금속을 동시에 식각함으로써, 식각공정을 단순화시킬 수 있기 때문에 비용 및 시간을 절감할 수 있는 장점을 가진다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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