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질화물 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015023409
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요약 질화물 발광 소자에 대한 것으로, 기판 위에 형성되는 광 가이드층이나 클래딩층 중 적어도 어느 한 층과 활성층 사이에 중간 완충층이 삽입되는 구조를 포함한다. 중간 완충층은 900℃ 이하의 저온에서 0.01∼5㎚의 두께로 성장시키고, 활성층이 InGaN으로 구성되는 경우, GaN, AlGaN, InGaN 중 어느 하나로 이루어지며, 중간 완충층이 InGaN로 이루어질 경우, In의 조성은 양자 장벽(quantum barrier)에 들어가는 In의 조성보다 작아야 한다. 따라서, 본 발명은 저온 성장 중에 중간 완충층을 첨가함으로써, 온도 상승에 의해 전해지는 활성층의 손상을 감소시킨다. 또한, 활성층 위에 성장시키는 에피택셜층의 결정성을 좋게 하고, 활성층과 그 이후 층들 사이의 격자 상수 차이에 기인한 거친 계면 형성을 막아 캐리어들의 흐름을 용이하게 하며, 소수 캐리어 제한 효율(low carrier confinement efficiency)을 높일 수 있게 된다. 그리하여, 고효율 광 특성 및 열 특성을 가진 질화물 발광소자를 얻을 수 있다. 중간 완충층, 활성층, 클래딩층, 광 가이드층
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020000005380 (2000.02.03)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0628200-0000 (2006.09.19)
공개번호/일자 10-2001-0077530 (2001.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20060927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울특별시서대문구
2 유태경 대한민국 경기도용인시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2000-0020867-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2002.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-5138810-13
5 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2002.06.20 무효 (Invalidation) 1-1-2002-0191998-14
6 보정통지서
Request for Amendment
2002.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0043289-73
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2002.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-5164601-21
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2002.08.14 수리 (Accepted) 1-5-2002-0056074-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
10 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0062839-96
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0031318-93
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0303007-49
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0526904-51
15 의견서
Written Opinion
2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0526906-42
16 등록결정서
Decision to grant
2006.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0480684-80
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 형성되는 광 가이드층이나 클래딩층 중 적어도 어느 한 층과 활성층 사이에 중간 완충층이 삽입되는 구조를 포함하며,상기 중간 완충층은 AlGaN 및 InGaN 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 중간 완충층은 900℃ 이하에서 성장됨을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 중간 완충층의 두께는 0
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 중간 완충층이 InGaN을 사용하여 이루어질 때, In의 조성은 양자 장벽에 들어가는 In의 조성보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
6 5
제 1항에 있어서, 상기 중간 완충층이 InGaN을 사용하여 이루어질 때, In의 조성은 양자 장벽에 들어가는 In의 조성보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06590234 US 미국 FAMILY
2 US20010011731 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2001011731 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6590234 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.