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엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023411
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스위칭 영역과, 화소영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 스위칭 영역에 형성되고, 게이트 전극과, 절연막과, 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층과, 소스 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터와; 상기 화소영역의 일 부분에 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 물질로 형성된 접지배선과; 상기 박막 트랜지스터 및 상기 접지배선과 기판 전면을 덮는 보호막과; 상기 화소영역의 상기 보호막 상에 형성된 캐패시터 전극과; 상기 캐패시터 전극 및 보호막 상에 형성된 제 1 층간 절연막과; 상기 화소영역의 제 1 층간 절연막 상에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극 및 제 1 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 화소전극, 드레인 전극, 캐패시터 전극, 접지배선이 각각 노출된 제 1, 2, 3, 4 콘택홀을 갖는 제 2 층간 절연막과; 상기 제 2 층간 절연막 상에 형성되고, 제 1, 2 콘택홀을 통해 각각 노출된 화소전극 및 드레인 전극과 동시에 접촉하는 제 1 접속전극과; 상기 제 2 층간 절연막 상에 형성되고, 제 3, 4 콘택홀을 통해 각각 노출된 캐패시터 전극 및 접지배선과 동시에 접촉하는 제 2 접속전극을 포함하는 엑스레이 영상 감지소자에 관해 개시하고 있다.
Int. CL H04N 5/32 (2006.01)
CPC H04N 5/32(2013.01)
출원번호/일자 1020000007387 (2000.02.16)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0642088-0000 (2006.10.27)
공개번호/일자 10-2001-0081580 (2001.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20061113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.01)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종성 대한민국 경기도고양시덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-0028229-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2005.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0061095-55
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0061096-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0013915-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0423521-87
8 의견서
Written Opinion		 2006.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0671102-18
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0671100-27
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0621859-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스위칭 영역과, 화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상의 스위칭 영역에 형성되고, 게이트 전극, 절연막, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터와;상기 화소영역 상의 접지배선과;상기 박막 트랜지스터 및 상기 접지배선을 포함한 상기 기판 상의 보호막과;상기 화소영역의 상기 보호막 상에 형성된 캐패시터 전극과;상기 캐패시터 전극 및 보호막 상에 형성된 제 1 층간 절연막과;상기 화소영역의 제 1 층간 절연막 상에 형성된 화소전극과;상기 화소전극과 상기 제 1 층간 절연막 상의 제 2 층간절연막과;상기 제 2 층간절연막 상에 형성되고, 상기 화소전극 상의 제 1 콘택홀과 상기 드레인 전극 상의 제 2 콘택홀을 통하여 연결되며, 상기 화소전극과 상기 드레인 전극이 접속하는 제 1 접속전극과;상기 제 2 층간절연막 상에 형성되고, 상기 캐패시터 전극 상의 제 3 콘택홀과 상기 접지배선 상의 제 4 콘택홀을 통하여 연결되며, 상기 캐패시터 전극과 상기 접지배선이 접속되는 제 2 접속전극; 을 포함하는 엑스레이 영상 감지소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 화소전극은 상기 소스 및 드레인 전극의 상부까지 연장된 엑스레이 영상 감지소자
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 보호막은 BCB(benzocyclobutene)인 엑스레이 영상 감지소자
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 층간 절연막은 상기 제 1 접속전극 및 상기 제 2 접속전극 하부에 형성된 엑스레이 영상 감지소자
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 접속전극 및 상기 제 2 접속전극은 알루미늄계 금속인 엑스레이 영상 감지소자
6 6
화소영역과 스위칭 영역이 정의된 기판을 구비하는 단계와;상기 기판 상의 스위칭 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와;상기 액티브층을 포함한 상기 게이트 절연막 상에 소스 전극, 드레인 전극 및 접지배선을 형성하는 단계와;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 접지배선을 포함한 상기 게이트 절연막 상에 보호막과 상기 화소영역에 대응하는 상기 보호막 상에 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;상기 캐패시터 전극을 포함한 상기 보호막 상에 제 1 층간 절연막과 상기 제 1 층간 절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계와;상기 화소전극을 포함한 상기 제 1 층간 절연막 상에 제 2 층간 절연막을 형성하고, 상기 보호막, 상기 제 1 층간 절연막, 및 상기 제 2 층간 절연막을 패터닝하여, 상기 화소전극이 노출되는 제 1 콘택홀과, 상기 드레인 전극이 노출되는 제 2 콘택홀과, 상기 캐패시터 전극이 노출되는 제 3 콘택홀과, 상기 접지배선이 노출되는 제 4 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 제 2 층간 절연막 상에, 상기 제 1 콘택홀 및 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 화소전극과 상기 드레인 전극이 접속되는 제 1 접속전극과, 상기 제 3 콘택홀 및 상기 제 4 콘택홀을 통하여 상기 캐패시터 전극과 상기 접지배선이 접속되는 제 2 접속전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 접속전극 및 상기 제 2 접속전극을 마스크로하여 상기 제 2 층간 절연막을 식각하여 상기 화소전극을 노출시키는 단계;를 포함하는 엑스레이 영상 감지소자 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 노출된 화소 전극 상에 광도전막을 형성하는 단계와; 상기 광도전막 상에 도전 전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 엑스레이 영상 감지소자 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 광도전막은 비정질 셀레니움(selenium), HgI2, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드로 구성된 집단에서 선택된 물질인 엑스레이 영상 감지소자 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 제 1 접속전극 및 상기 제 2 접속전극은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(AlNd)으로 구성된 집단에서 선택된 물질인 엑스레이 영상 감지소자 제조방법
10 9
청구항 6에 있어서, 상기 제 1 접속전극 및 상기 제 2 접속전극은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(AlNd)으로 구성된 집단에서 선택된 물질인 엑스레이 영상 감지소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.