| 1 |
1
다수의 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과; 가로방향으로 형성되고, 각각 제 1, 2 부 게이트 배선을 포함하는 n 개의 주 게이트 배선과 세로방향으로 형성되고, 각각 제 1, 2 부 데이터 배선을 포함하는 m 개의 주 데이터 배선과; 상기 각 주 게이트 배선과 주 데이터 배선이 교차하는 교차점에 형성되고, 평면적으로 실질적으로 4면을 갖는 사각형 형상으로, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 4개의 박막 트랜지스터가 집적되며, 상기 각 박막 트랜지스터는 각 전극과 접촉하는 게이트, 소스 및 드레인 패드를 가지고 4면에 각각 대칭적으로 형성되며, 상기 각 주 게이트 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받는 나노블록과; 상기 각 화소영역에 형성되고, 인접한 나노블록에서 각각 신호를 인가 받는 4개의 화소전극 을 포함하는 액정 표시장치용 어레이 기판
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 주 게이트 배선이 연장되는 방향으로 상기 제 1, 2 부 게이트 배선 사이에 형성되는 공통배선을 더욱 포함하는 액정 표시장치용 어레이 기판
|
| 3 |
3
평면적으로 실질적으로 4면을 갖는 사각형 형상으로, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 2개 이상의 스위칭 소자가 집적되며, 상기 스위칭 소자는 각 전극과 접촉하는 게이트, 소스 및 드레인 패드를 가지고 4면에 각각 대칭적으로 형성된 나노블록과; 상기 복수개의 나노블록 중 적어도 2개의 나노블록의 대응하는 스위칭 소자와 각각 연결된 화소전극과; 상기 화소전극과 공통적으로 연결된 상기 복수개의 나노블록의 스위칭 소자에 동일한 신호를 인가하고, 가로방향으로 연장된 게이트 배선과; 상기 화소전극과 공통적으로 연결된 상기 복수개의 나노블록의 스위칭 소자에 동일한 신호를 인가하고, 세로방향으로 연장된 데이터 배선 을 포함하는 액정 표시장치용 어레이 기판
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 화소전극은 세로방향으로 인접한 2개의 나노블록의 대응하는 스위칭 소자와 각각 연결된 액정 표시장치용 어레이 기판
|
| 5 |
5
청구항 3에 있어서, 상기 화소전극은 세로 및 가로방향으로 인접한 4개의 나노블록의 대응하는 스위칭 소자와 각각 연결된 액정 표시장치용 어레이 기판
|
| 6 |
5
청구항 3에 있어서, 상기 화소전극은 세로 및 가로방향으로 인접한 4개의 나노블록의 대응하는 스위칭 소자와 각각 연결된 액정 표시장치용 어레이 기판
|
