1 |
1
화소영역과 스위칭 영역이 정의된 기판과;상기 화소영역의 가로 및 세로 방향으로 형성된 게이트 및 데이터 배선과;상기 게이트 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받고, 상기 스위칭 영역에 형성되며, 게이트 전극과 그 상부로 형성된 액티브층과, 상기 액티브층 위로 서로 이격하며 상기 액티브층을 노출시키며 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와;상기 박막 트랜지스터 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막과;상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며, 상기 화소영역에 형성된 화소전극과;상기 박막 트랜지스터 상의 상기 보호막 상부로 상기 소스 및 드레인 전극의 이격영역에 대응하여 형성된 식각 방지부를 포함하며 상기 식각 방지부 및 화소전극 외부로 상기 소스 및 드레인 전극 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 어레이 기판
|
2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 식각 방지부는 상기 화소전극과 동일 물질인 액정 표시장치의 어레이 기판
|
3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)인 액정 표시장치의 어레이 기판
|
4 |
4
기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 제 1 금속층을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극과 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 패터닝된 제 1 금속층 및 기판 전면에 걸쳐 절연막, 순수 비정질 실리콘, 불순물 비정질 실리콘, 제 2 금속층을 순서대로 형성하고, 상기 제 2 금속층을 패터닝하여 소스전극, 드레인 전극, 캐패시터 전극을 각각 형성하는 단계와; 상기 패터닝된 제 2 금속에 의해 노출된 불순물 비정질 실리콘을 식각하여 채널을 형성하는 단계와; 상기 패터닝된 제 2 금속층 상에 절연막을 증착하고 패터닝하여 상기 패터닝된 제 2 금속을 덮으며, 상기 드레인 전극 및 캐패시터 전극의 일부가 각각 노출된 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 및 기판 전면에 걸쳐 투명 도전물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극 및 캐패시터 전극과 접촉하는 화소전극 및 상기 채널 상부 상기 보호막 상에 식각 방지막을 각각 형성하는 단계와; 상기 패터닝된 투명 도전물질을 마스크로하여 패터닝된 투명도전 물질에 의해 노출된 보호막 및 상기 패터닝된 제 2 금속층에 의해 노출된 비정질 실리콘을 일괄식각하는 단계 를 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법
|
5 |
5
청구항 4에 있어서, 상기 투명 도전물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)인 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법
|
6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 게이트 배선 상부로 그 일부에 대응하여 상기 액티브층을 이루는 동일물질로 이루어진 비정질 실리콘 패턴과 그 상부로 상기 소스 및 드레인 전극을 이루는 동일한 물질로 이루어지며 상기 비정질 실리콘 패턴과 일끝단이 일치하는 스토리지 전극을 더욱 포함하는 액정 표시장치의 어레이 기판
|
7 |
7
청구항 6에 있어서, 상기 스토리지 전극 상부에는 상기 스토리지 전극 일부를 노출시키는 스토리지 콘택홀과 상기 액티브 패턴과 끝단일 일치되는 부분을 노출시키며 상기 보호막이 더욱 형성된 액정 표시장치의 어레이 기판
|
8 |
8
청구항 7에 있어서, 상기 스토리 전극 상부에 형성된 상기 보호막 위로 그 일끝단이 일치하며 상기 스토리지 콘택홀을 통해 상기 스토리지 전극과 접촉하며 상기 화소전극이 연장 형성된 것이 특징인 액정 표시장치의 어레이 기판
|