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액정표시장치 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023433
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요약 본 발명은 액정표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 투명기판과, 상기 투명기판 상에 게이트라인과 연결되게 형성된 게이트전극과, 상기 투명기판 상에 상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 형성된 게이트절연막과, 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트라인과 수직되게 형성되어 화소영역을 한정하는 데이터라인과 연결되게 형성된 드레인전극과, 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트전극을 사이에 두고 상기 드레인전극과 대응되게 형성된 소오스전극과, 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트라인의 소정 부분과 중첩되게 형성되어 상기 게이트절연막 및 상기 게이트라인과 함께 축적 캐패시터를 구성하는 더미전극과, 상기 데이터라인, 상기 소오스 및 드레인전극과 상기 더미전극을 덮도록 형성된 패시베이션층과, 상기 패시베이션층에 상기 소오스전극과 상기 더미전극을 각각 노출시키도록 형성된 제 1 및 제 2 접촉홀과, 상기 패시베이션층 상에 상기 제 1 및 제 2 접촉홀을 통해 상기 소오스전극 및 상기 더미전극과 전기적으로 연결되게 형성된 화소전극과, 상기 화소전극의 하부에 그의 가장자리 부분과 중첩되게 좁은 폭을 갖도록 형성된 광흡수층을 포함한다. 따라서, 광흡수층이 리페어시 조사되는 레이저 빔에 의해 용융되면서 화소전극 사이의 잔사도 용융 및 절단하여 화소전극의 단락에 의한 점 결함을 리페어할 수 있다.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/136259(2013.01) G02F 1/136259(2013.01) G02F 1/136259(2013.01) G02F 1/136259(2013.01)
출원번호/일자 1020000008310 (2000.02.21)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0685311-0000 (2007.02.14)
공개번호/일자 10-2001-0082834 (2001.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20070222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남위진 대한민국 경상북도구미시황
2 이재구 대한민국 대구광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-0031690-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0091586-19
4 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0091587-54
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2006-0045028-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0412990-18
8 의견서
Written Opinion
2006.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0676239-25
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.09.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0676225-97
10 등록결정서
Decision to grant
2007.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0032891-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판과,상기 투명기판 상에 게이트라인과 연결되게 형성된 게이트전극과,상기 게이트전극 및 게이트라인을 모두 덮도록 상기 투명기판상에 형성된 게이트 절연막과,상기 게이트절연막 상에 상기 게이트라인과 수직되게 형성되어 화소영역을 형성하는 데이터라인과 연결되게 형성된 드레인전극과, 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트전극을 사이에 두고 상기 드레인전극과 대응되게 형성된 소오스전극과, 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트라인의 일부 영역과 중첩되게 형성되어 상기 게이트절연막 및 상기 게이트라인과 함께 축적 캐패시터를 구성하는 더미전극과,상기 데이터라인, 상기 소오스 및 드레인전극과 상기 더미전극을 덮도록 형성된 패시베이션층과,상기 패시베이션층에 상기 소오스전극과 상기 더미전극을 각각 노출시키도록 형성된 제 1 및 제 2 접촉홀과, 상기 패시베이션층 상에 상기 제 1 및 제 2 접촉홀을 통해 상기 소오스전극 및 상기 더미전극과 전기적으로 연결되게 형성된 화소전극과,상기 화소전극의 하부에 그의 가장자리 부분과 일부 영역이 중첩되도록 형성된 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
2 2
청구항 1에 있어서,상기 광흡수층은 상기 화소전극이 단락에 의해 잔사되었을 경우 레이저 빔을 상기 광흡수층에 초점이 맺히도록 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 데이터라인, 상기 소오스 및 드레인전극과 상기 더미전극과 동일한 물질 및 동일한 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 소오스 및 상기 더미전극과 연결되게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 게이트라인 및 상기 게이트전극과 동일한 물질 및 동일한 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 게이트라인 및 상기 게이트전극과 분리되어 전기적으로 플로팅 상태가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
7 7
투명기판 상에 게이트라인 및 데이터라인과, 그들에 접속된 박막트랜지스터와, 상기 게이트라인의 일부 영역과 중첩되는 축적 캐패시터를 형성함과 아울러 상기 게이트라인 및 데이터라인에 마련되는 화소영역의 가장자리 부분과 일부 영역이 중첩되는 광흡수층을 형성하는 공정과,상기 박막트랜지스터를 덮는 패시베이션층을 형성하고 상기 박막트랜지스터의 소오스전극과 상기 축적 캐패시터의 더미전극을 노출시키는 제 1 및 제 2 접촉홀을 형성하는 공정과,상기 패시베이션층 상에 상기 제 1 및 제 2 접촉홀을 통해 상기 소오스전극 및 상기 더미전극과 접촉되며 가장자리 부분이 상기 광흡수층과 중첩되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 데이터라인, 상기 박막트랜지스터의 소오스 및 드레인전극과 상기 더미전극과 동일한 물질로 동일층에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 광흡수층을 상기 소오스 및 상기 더미전극과 연결되게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 광흡수층을 상기 게이트라인 및 상기 게이트전극과 동일한 물질로 동일층에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 광흡수층을 상기 게이트라인 및 상기 게이트전극과 분리되어 전기적으로 플로팅 상태가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.