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투명기판과;상기 투명기판 상에 게이트전극, 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연막, 상기 게이트절연막 상에 활성층, 상기 활성층 상에 오믹접촉층을 개재시켜 형성된 소오스 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와;상기 투명기판 상에 하부전극, 상기 하부전극을 덮도록 형성된 유전막, 상기 유전막 상에 상부전극을 포함하는 캐패시터와;상기 상부전극의 측면을 노출시키며 상기 박막트랜지스터 및 상기 캐패시터를 덮는 패시베이션층과;상기 드레인전극과 전기적으로 연결되며 상기 박막트랜지스터와 반대되는 방향의 상기 캐패시터의 상부전극의 측면과 접촉되는 화소전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는 상기 소오스전극과 마주보는 방향으로 상기 드레인전극이 길게 연장되어 그 측면이 노출되도록 형성된 접촉부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 2 항에 있어서,셀 영역을 구획하는 블랙매트릭스를 포함하며 상기 투명기판과 합착되는 상판을 더 구비하며, 상기 접촉부는 상기 블랙매트릭스와 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 2 항에 있어서,상기 접촉부는 상기 소오스 및 드레인전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 2 항에 있어서,상기 화소전극이 상기 접촉부의 측면과 접촉되어 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 1 항에 있어서,상기 드레인전극을 노출시키는 접촉홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 6 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 접촉홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 1 항에 있어서,상기 유전막과 상기 상부전극 사이에 상기 활성층 및 오믹접촉층이 잔류되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 상부전극과 2∼3㎛의 폭으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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투명기판 상의 게이트전극 및 하부전극을 형성하는 단계와;상기 게이트전극을 덮는 게이트절연막, 오믹접촉층 및 활성층을 순차적으로 형성하고 상기 하부전극을 덮는 유전막을 형성하는 단계와;상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극을 형성하고 상기 유전막 상에 상부전극을 형성하는 단계와;상기 소오스 및 드레인전극을 덮으며 상기 상부전극의 측면이 노출되도록 상기 상부전극을 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계와;상기 드레인전극과 전기적으로 연결되며 상기 드레인전극와 반대되는 방향의 상기 상부전극의 측면과 접촉되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 소오스전극과 마주보는 방향으로 상기 드레인전극이 길게 연장되어 그 측면이 노출된 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 11 항에 있어서,셀 영역을 구획하는 블랙매트릭스를 포함하며 상기 투명기판과 합착되는 상판을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 접촉부는 상기 블랙매트릭스와 중첩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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13
제 11 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 접촉부의 측면과 접촉되어 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 패시베이션층에 접촉홀을 형성하여 상기 드레인전극을 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 접촉홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 유전막과 상기 상부전극 사이에 상기 활성층 및 오믹접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 상부전극과 2∼3㎛의 폭으로 중첩되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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