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투명기판과, 상기 투명기판 상에 형성된 패드와, 상기 투명기판 상의 상기 패드의 가장자리 부분을 제외한 나머지 부분을 노출시키는 접촉홀이 형성된 절연막 및 패시베이션층과, 상기 패드의 가운데 부분에 상기 절연막을 개재시켜 형성된 접촉금속막과, 상기 패시베이션층 상의 상기 접촉홀 주위에 상기 접촉홀을 통해 상기 패드와 상기 접촉금속막의 양측과 접촉되고 가운데 부분에서 분리되게 형성된 투명도전막을 구비하는 박막트랜지스터의 패드부
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제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층이 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(β-stagged-divinyl -siloxane benzocyclobutene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane)의 유전 상수가 작은 유기 절연물로 형성된 박막트랜지스터의 패드부
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제 1 항에 있어서, 상기 접촉금속막이 상기 패드의 폭 보다 넓게 형성된 박막트랜지스터의 패드부
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제 3 항에 있어서, 상기 접촉금속막이 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄 또는 탄탈륨의 금속이나, MoW, MoTa 또는 MoNb의 몰리브덴 합금(Mo alloy)으로 형성된 박막트랜지스터의 패드부
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제 1 항에 있어서상기 투명도전막이 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO)으로 형성된 박막트랜지스터의 패드부
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투명기판 상에 패드를 형성하고 상기 투명기판 상에 상기 패드를 덮도록 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상의 상기 패드의 가운데 부분과 대응하는 부분에 접촉금속막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에 상기 접촉금속막을 덮도록 패시베이션층을 형성하는 공정과, 상기 패시베이션층 및 절연막을 패드가 노출됨과 아울러 상기 패드의 가운데 부분에 상기 접촉금속막 및 절연막이 적층된 구조로 잔류되도록 패터닝하여 접촉홀을 형성하는 공정과, 상기 패시베이션층 상에 상기 접촉홀을 통해 상기 패드와 상기 접촉금속막의 가운데 부분을 제외한 양측에 접촉되는 투명도전막을 형성하는 공정을 포함하는 박막트랜지스터의 패드부의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 접촉금속막을 상기 패드의 폭 보다 넓게 형성하는 박막트랜지스터의 패드부의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 접촉금속막을 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄 또는 탄탈륨의 금속이나, MoW, MoTa 또는 MoNb의 몰리브덴 합금(Mo alloy)으로 형성하는 박막트랜지스터의 패드부의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 패시베이션층을 유전 상수가 작은 유기 절연물인 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(β-stagged-divinyl -siloxane benzocyclobutene) 또는 PFCB (perfluorocyclobutane)로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 패드부의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 패시베이션층을 유전 상수가 작은 유기 절연물인 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(β-stagged-divinyl -siloxane benzocyclobutene) 또는 PFCB (perfluorocyclobutane)로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 패드부의 제조방법
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