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박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023451
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명기판 상의 소정 부분에 게이트전극 및 게이트라인을 형성하는 단계와; 상기 투명기판 상에 상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 게이트절연막, 활성층 및 오믹접촉층을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 오믹접촉층 상에 오믹금속층을 증착하고 상기 오믹금속층을 패터닝하여 상기 게이트라인과 수직되는 데이터라인과 상기 게이트전극 상에 소오스 및 드레인전극을 형성함과 아울러 상기 게이트전극과 대응되는 영역에 상기 활성층이 노출되도록 상기 오믹접촉층을 패터닝하는 단계와; 상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 오믹금속층을 덮도록 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 상에 상기 데이터라인을 포함하는 상기 소오스 및 드레인전극과 대응하는 부분에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층의 노출된 부분을 순차적으로 식각하고 SF6 + O2의 혼합 가스로 애싱(ashing) 처리하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, Cl 성분이 잔류하지 않으므로 H2O의 H2 성분과의 반응으로 인한 HCl 용액이 생성되지 않아 제 1 금속층이 노출되는 것을 방지하므로 게이트전극의 노출된 부분이 손상으로 판정되어 되는 것을 방지하여 수율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01)
출원번호/일자 1020000022491 (2000.04.27)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0646170-0000 (2006.11.08)
공개번호/일자 10-2001-0097961 (2001.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20061114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우채 대한민국 경상북도구미시진
2 류순성 대한민국 경상북도구미시황
3 김용완 대한민국 경상북도구미시진
4 김후성 대한민국 서울특별시성북구
5 곽동영 대한민국 대구광역시달서구
6 정유호 대한민국 경상북도구미시진
7 박덕진 대한민국 대구광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-0084348-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.04.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0221751-18
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0221753-09
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0597746-22
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
1 1
투명기판 상의 소정 부분에 게이트전극 및 게이트라인을 형성하는 단계와;상기 투명기판 상에 상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 게이트절연막, 활성층 및 오믹접촉층을 순차적으로 증착하는 단계와;상기 오믹접촉층 상에 오믹금속층을 증착하고 상기 오믹금속층을 패터닝하여 상기 게이트라인과 수직되는 데이터라인과 상기 게이트전극 상에 소오스 및 드레인전극을 형성함과 아울러 상기 게이트전극과 대응되는 영역에 상기 활성층이 노출되도록 상기 오믹접촉층을 패터닝하는 단계와;상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 오믹금속층을 덮도록 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 상에 상기 데이터라인을 포함하는 상기 소오스 및 드레인전극과 대응하는 부분에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층의 노출된 부분을 순차적으로 식각하고 SF6 + O2의 혼합 가스로 애싱(ashing) 처리하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 게이트전극은 알루미늄(Al)과 네오딤(Nd)의 합금으로 이루어진 하부층과 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 상부층의 복수 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층을 순차적으로 식각하는 단계는,상기 패시베이션층을 SF6 + He의 혼합 가스로 건식 식각하는 제1 단계와, 상기 오믹금속층을 SF6 + He + O2의 혼합 가스로 건식 식각하는 제2 단계와, 상기 오믹접촉층 및 활성층을 SF6 + He + HCl의 혼합 가스로 건식 식각하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제1 단계는,상기 게이트전극과 대응하는 부분은 상기 패시베이션층뿐만 아니라 상기 오믹접촉층 및 활성층도 함께 식각되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 오믹접촉층뿐만 아니라 상기 게이트절연막이 함께 식각되어 상기 게이트전극이 노출되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 제 3 단계는, 상기 SF6 + He + HCl의 혼합 가스가 상기 게이트전극의 노출된 부분과 접촉되어 Cl 성분이 잔류되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 게이트전극의 노출된 부분에 잔류하는 Cl 성분을 SF6 + O2의 혼합 가스로 애싱(ashing) 처리하여 제거하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
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