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데이터신호가 공급되는 데이터라인과, 스캔신호가 공급되는 게이트라인과, 액정셀을 구동하기 위한 화소전극과, 상기 스캔신호에 응답하여 상기 데이터신호를 상기 화소전극으로 절환하기 위한 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시소자에 있어서, 상기 기판과 상기 박막트랜지스터의 게이트전극 사이에 형성된 활성층 및 게이트절연막; 상기 게이트전극 상에 형성되고 상기 활성층을 부분적으로 노출시키기 위한 콘택홀들을 가지는 층간절연막; 및 각각 투명전극층과 금속전극층이 적층되어진 구조를 가지며 상기 층간절연막 상에 형성되는 상기 데이터라인, 상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속전극층은,몰리브데늄(Mo)/알루미늄(Al) 계열의 금속/몰리브데늄(Mo)의 적층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성층은 폴리실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성되고 상기 드레인전극을 노출시키는 콘택홀을 가지는 보호막을 더 구비하고;상기 화소전극은 상기 보호막의 콘택홀을 통해 상기 드레이전극과 접속되며, 상기 소스 및 드레인전극은 상기 층간절연막의 콘택홀들을 통해 상기 활성층에 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 활성층은 아몰퍼스실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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데이터신호가 공급되는 데이터라인과, 스캔신호가 공급되는 게이트라인과, 액정셀을 구동하기 위한 화소전극과, 상기 스캔신호에 응답하여 상기 데이터신호를 상기 화소전극으로 절환하기 위한 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시소자의 제조방법에 있어서, 기판과 상기 박막트랜지스터의 게이트전극 사이에 활성층 및 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 활성층을 부분적으로 노출시키기 위한 콘택홀들을 가지는 층간절연막을 상기 게이트전극 상에 형성하는 단계; 및 각각 투명전극층과 금속전극층이 적층되어진 구조를 가지는 상기 데이터라인, 상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인전극을 상기 층간절연막 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판과 상기 활성층 사이에 버퍼절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트라인 및 상기 박막트랜지스터의 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 층간절연막을 패터닝하여 상기 활성층을 부분적으로 노출시키기 위한 콘택홀들을 상기 층간절연막에 형성하고 상기 소스 및 드레인전극을 상기 층간절연막의 콘택홀들을 통해 상기 활성층에 접속시키는 단계; 상기 데이터라인, 상기 소스 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성함과 동시에 상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 화소전극을 형성하고 상기 보호막의 콘택홀을 통해 상기 화소전극을 상기 드레인전극에 접속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 활성층은 폴리실리콘과 아몰퍼스실리콘 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속전극층은,몰리브데늄(Mo)/알루미늄(Al) 계열의 금속/몰리브데늄(Mo)의 적층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속전극층은,몰리브데늄(Mo)/알루미늄(Al) 계열의 금속/몰리브데늄(Mo)의 적층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
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