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박막트랜지스터의 제조방법

기술번호 : KST2015023468
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 투명기판 상에 소정 부분에 1500∼2500Å 두께의 제 1 금속층과 700∼1500Å 두께의 제 2 금속층으로 이루어진 게이트전극 및 게이트라인을 형성하는 단계와; 상기 투명기판 상에 상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 게이트절연막, 활성층 및 오믹접촉층을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 오믹접촉층 상에 오믹금속층을 증착하고 상기 오믹금속층을 패터닝하여 상기 게이트라인과 수직되는 데이터라인과 상기 게이트전극 상에 소오스 및 드레인전극을 형성함과 아울러 상기 게이트전극과 대응되는 영역에 상기 활성층이 노출되도록 상기 오믹접촉층을 패터닝하는 단계와; 상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 오믹금속층을 덮도록 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 상에 상기 데이터라인을 포함하는 상기 소오스 및 드레인전극과 대응하는 부분에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층의 노출된 부분을 제1 내지 제3 단계 건식 식각에 의해 순차적으로 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, 제 2 금속층이 두껍게 형성되므로 Cl 성분과 H2 성분의 반응으로 인해 생성되는 HCl 용액에 의해 제 1 금속층이 노출되지 않아 게이트전극의 노출된 부분이 손상으로 판정되어 되는 것을 방지하여 수율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL	G02F 1/136 (2006.01)
CPC	G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01)
출원번호/일자	1020000022492 (2000.04.27)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-0696264-0000 (2007.03.12)
공개번호/일자	10-2001-0097962 (2001.11.08) 문서열기
공고번호/일자	(20070316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.04.19)
심사청구항수	6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이우채	대한민국	경상북도구미시진
2	류순성	대한민국	경상북도구미시황
3	김용완	대한민국	경상북도구미시진
4	김후성	대한민국	서울특별시성북구
5	곽동영	대한민국	대구광역시달서구
6	정유호	대한민국	경상북도구미시진
7	박덕진	대한민국	대구광역시북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김영호	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2000.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2000-0084349-57
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2001.05.17	수리 (Accepted)	4-1-2001-0059077-39
3	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.04.19	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2005-0203201-07
4	출원심사청구서 Request for Examination	2005.04.19	수리 (Accepted)	1-1-2005-0203211-53
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.06.23	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.07.12	수리 (Accepted)	9-1-2006-0045075-65
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0478469-77
8	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.10.23	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0763999-14
9	의견서 Written Opinion	2006.10.23	수리 (Accepted)	1-1-2006-0764002-10
10	등록결정서 Decision to grant	2007.01.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0048593-46
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 투명기판상에 1500∼2500Å 두께의 제 1 금속층과 700∼1500Å 두께의 제 2 금속층으로 이루어진 게이트전극 및 게이트라인을 형성하는 단계와;상기 투명기판 상에 상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 게이트절연막, 활성층 및 오믹접촉층을 순차적으로 증착하는 단계와;상기 오믹접촉층 상에 오믹금속층을 증착하고 상기 오믹금속층을 패터닝하여 상기 게이트라인과 수직되는 데이터라인과 상기 게이트전극 상에 소오스 및 드레인전극을 형성함과 아울러 상기 게이트전극과 대응되는 영역에 상기 활성층이 노출되도록 상기 오믹접촉층을 패터닝하는 단계와;상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 오믹금속층을 덮도록 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 상에 상기 데이터라인을 포함하는 상기 소오스 및 드레인전극과 대응하는 부분에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층의 노출된 부분을 제1 내지 제3 단계 건식 식각에 의해 순차적으로 식각하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하고,상기 포토레지스트 패턴을 제거시에 상기 제 2 금속층이 상기 제 1 금속층상에 잔류되도록 상기 제 2 금속층의 상부 표면만 식각되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층을 알루미늄(Al)과 네오딤(Nd)의 합금으로 형성하며, 제 2 금속층을 몰리브덴(Mo)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층을 제1 내지 제3 단계 건식 식각에 의해 순차적으로 식각하는 단계는,상기 패시베이션층을 SF6 + He의 혼합 가스로 건식 식각하는 제1 단계와, 상기 오믹금속층을 SF6 + He + O2의 혼합 가스로 건식 식각하는 제2 단계와, 상기 오믹접촉층 및 활성층을 SF6 + He + HCl의 혼합 가스로 건식 식각하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 제1 단계는,상기 게이트전극과 대응하는 부분은 상기 패시베이션층뿐만 아니라 상기 오믹접촉층 및 활성층도 함께 식각되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
5	5 제 3 항에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 오믹접촉층뿐만 아니라 상기 게이트절연막이 함께 식각되어 상기 게이트전극이 노출되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
6	6 제 3 항에 있어서,상기 제 3 단계는, 상기 SF6 + He + HCl의 혼합 가스가 상기 게이트전극의 노출된 부분과 접촉되어 Cl 성분이 잔류되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0696264-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20000427 출원 번호 : 1020000022492 공고 연월일 : 20070316 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070126 청구범위의 항수 : 6 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 박막트랜지스터의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190313

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	405,000 원	2007년 03월 13일	납입
제 4 년분	금 액	172,000 원	2009년 12월 18일	납입
제 5 년분	금 액	172,000 원	2010년 12월 28일	납입
제 6 년분	금 액	172,000 원	2011년 12월 21일	납입
제 7 년분	금 액	328,000 원	2012년 12월 28일	납입
제 8 년분	금 액	328,000 원	2013년 12월 27일	납입
제 9 년분	금 액	328,000 원	2015년 02월 27일	납입
제 10 년분	금 액	570,000 원	2016년 02월 26일	납입
제 11 년분	금 액	570,000 원	2017년 02월 15일	납입
제 12 년분	금 액	570,000 원	2018년 02월 13일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2000.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2000-0084349-57
2	출원인정보변경(경정)신고서	2001.05.17	수리 (Accepted)	4-1-2001-0059077-39
3	명세서등보정서	2005.04.19	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2005-0203201-07
4	출원심사청구서	2005.04.19	수리 (Accepted)	1-1-2005-0203211-53
5	선행기술조사의뢰서	2006.06.23	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2006.07.12	수리 (Accepted)	9-1-2006-0045075-65
7	의견제출통지서	2006.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0478469-77
8	명세서등보정서	2006.10.23	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2006-0763999-14
9	의견서	2006.10.23	수리 (Accepted)	1-1-2006-0764002-10
10	등록결정서	2007.01.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0048593-46
11	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
12	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
13	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
14	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95


기술번호	KST2015023468
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막트랜지스터의 제조방법
기술개요	본 발명은 투명기판 상에 소정 부분에 1500∼2500Å 두께의 제 1 금속층과 700∼1500Å 두께의 제 2 금속층으로 이루어진 게이트전극 및 게이트라인을 형성하는 단계와; 상기 투명기판 상에 상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 게이트절연막, 활성층 및 오믹접촉층을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 오믹접촉층 상에 오믹금속층을 증착하고 상기 오믹금속층을 패터닝하여 상기 게이트라인과 수직되는 데이터라인과 상기 게이트전극 상에 소오스 및 드레인전극을 형성함과 아울러 상기 게이트전극과 대응되는 영역에 상기 활성층이 노출되도록 상기 오믹접촉층을 패터닝하는 단계와; 상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 오믹금속층을 덮도록 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 상에 상기 데이터라인을 포함하는 상기 소오스 및 드레인전극과 대응하는 부분에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 패시베이션층, 오믹금속층, 오믹접촉층 및 활성층의 노출된 부분을 제1 내지 제3 단계 건식 식각에 의해 순차적으로 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, 제 2 금속층이 두껍게 형성되므로 Cl 성분과 H2 성분의 반응으로 인해 생성되는 HCl 용액에 의해 제 1 금속층이 노출되지 않아 게이트전극의 노출된 부분이 손상으로 판정되어 되는 것을 방지하여 수율을 향상시킬 수 있다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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