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기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 제 1 금속을 증착하고 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 걸쳐 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 제 2 금속층, 포토레지스트를 순서대로 적층하는 단계와; 상기 제 2 금속층 상에 형성된 포토레지스트를 채널부가 막힌 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 2 마스크로 1차 완전 노광하여 제 1 노광 영역을 형성하는 단계와; 상기 제 1 노광영역이 형성된 포토레지스트를 채널부가 형성된 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 3 마스크로 2차 부분 노광하여 제 2 노광영역을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 노광영역을 갖는 포토레지스트를 현상하는 단계와; 현상된 포토레지스트를 마스크로 제 1 노광영역의 제 2 금속층, 불순물 반도체층, 순수 반도체층을 일괄 식각하는 단계와; 상기 부분 노광된 제 2 노광영역의 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 제 2 노광영역이 제거된 포토레지스트에 의해 노출된 제 2 금속층을 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 2차 노광은 1차 노광에 비해 노광 빛의 세기가 작은 박막 트랜지스터 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 식각된 소스 및 드레인 전극을 마스크로하여 상기 소스 및 드레인 전극의 사이에 존재하는 불순물 반도체층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 3중 어느 한 항의 박막 트랜지스터 제조방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터
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기판 상에 제 1 금속으로 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 걸쳐 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 제 2 금속, 포토레지스트를 순서대로 적층하고, 채널부가 막힌 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 1 마스크로 상기 포토레지스트를 1차 완전 노광하여 제 1 노광 영역과, 상기 제 1 노광영역이 형성된 포토레지스트를 채널부가 형성된 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 2 마스크로 2차 부분 노광하여 제 2 노광영역을 각각 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 노광영역을 갖는 포토레지스트를 현상하는 단계와; 현상된 포토레지스트를 마스크로 제 1 노광영역의 제 2 금속층, 불순물 반도체층, 순수 반도체층을 일괄 식각하는 단계와; 상기 부분 노광된 제 2 노광영역의 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 제 2 노광영역이 제거된 포토레지스트에 의해 노출된 제 2 금속층을 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 기판 전면에 걸쳐 형성되고 상기 드레인 전극의 일부가 노출된 드레인 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계 를 포함하는 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 2차 노광은 1차 노광에 비해 노광 빛의 세기가 작은 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 식각된 소스 및 드레인 전극을 마스크로하여 상기 소스 및 드레인 전극의 사이에 존재하는 불순물 반도체층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 식각된 소스 및 드레인 전극을 마스크로하여 상기 소스 및 드레인 전극의 사이에 존재하는 불순물 반도체층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
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