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액정 표시장치 및 액정 표시장치 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023496
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정 표시장치의 스위칭 소자로 쓰이는 박막 트랜지스터를 제작하기 위해 사용되는 식각공정, 현상공정, 세정공정을 저감하여 원가를 절감하고, 제품의 수율을 향상하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에서는 기판에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상의 전면에 걸쳐 절연막, 반도체층, 금속층, 포토레지스트를 순서대로 적층하고, 소정의 마스크 패턴을 사용하여 1, 2 차 노광하는 방법을 사용하여 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관해 개시하고 있다.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01)
출원번호/일자 1020000009268 (2000.02.25)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0603847-0000 (2006.07.14)
공개번호/일자 10-2001-0084330 (2001.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종욱 대한민국 경상북도구미시진

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2000-0034870-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification
2005.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0066286-30
4 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0066287-86
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0034818-24
7 등록결정서
Decision to grant
2006.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0381466-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 제 1 금속을 증착하고 제 1 마스크로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 걸쳐 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 제 2 금속층, 포토레지스트를 순서대로 적층하는 단계와; 상기 제 2 금속층 상에 형성된 포토레지스트를 채널부가 막힌 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 2 마스크로 1차 완전 노광하여 제 1 노광 영역을 형성하는 단계와; 상기 제 1 노광영역이 형성된 포토레지스트를 채널부가 형성된 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 3 마스크로 2차 부분 노광하여 제 2 노광영역을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 노광영역을 갖는 포토레지스트를 현상하는 단계와; 현상된 포토레지스트를 마스크로 제 1 노광영역의 제 2 금속층, 불순물 반도체층, 순수 반도체층을 일괄 식각하는 단계와; 상기 부분 노광된 제 2 노광영역의 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 제 2 노광영역이 제거된 포토레지스트에 의해 노출된 제 2 금속층을 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 2차 노광은 1차 노광에 비해 노광 빛의 세기가 작은 박막 트랜지스터 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 식각된 소스 및 드레인 전극을 마스크로하여 상기 소스 및 드레인 전극의 사이에 존재하는 불순물 반도체층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 3중 어느 한 항의 박막 트랜지스터 제조방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터
5 5
기판 상에 제 1 금속으로 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 걸쳐 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 제 2 금속, 포토레지스트를 순서대로 적층하고, 채널부가 막힌 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 1 마스크로 상기 포토레지스트를 1차 완전 노광하여 제 1 노광 영역과, 상기 제 1 노광영역이 형성된 포토레지스트를 채널부가 형성된 소스/드레인 형상의 패턴을 갖는 제 2 마스크로 2차 부분 노광하여 제 2 노광영역을 각각 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 노광영역을 갖는 포토레지스트를 현상하는 단계와; 현상된 포토레지스트를 마스크로 제 1 노광영역의 제 2 금속층, 불순물 반도체층, 순수 반도체층을 일괄 식각하는 단계와; 상기 부분 노광된 제 2 노광영역의 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 제 2 노광영역이 제거된 포토레지스트에 의해 노출된 제 2 금속층을 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 기판 전면에 걸쳐 형성되고 상기 드레인 전극의 일부가 노출된 드레인 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계 를 포함하는 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 2차 노광은 1차 노광에 비해 노광 빛의 세기가 작은 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 식각된 소스 및 드레인 전극을 마스크로하여 상기 소스 및 드레인 전극의 사이에 존재하는 불순물 반도체층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
8 7
청구항 5에 있어서, 상기 식각된 소스 및 드레인 전극을 마스크로하여 상기 소스 및 드레인 전극의 사이에 존재하는 불순물 반도체층을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 액정 표시장치의 어레이기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.