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기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트배선과 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선이 형성된 기판상에 절연물질을 증착하여 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연층 상에 반도체물질을 증착하여 상기 게이트전극 상에 아일랜드 형태로 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층이 형성된 기판상에 금속층을 증착하는 단계와; 상기 금속층상에 포토레지스트를 증착하고 노광하는 단계와; 상기 노광되지 않는 포토레지스트를 제거하는 단계와; 상기 노광되어 패턴화된 포토레지트 사이에 노출된 금속층을 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트에 의해 보호된 금속층 중 과도하게 언더컷이 된 측면상부에 위치한 일부 포토레지스트를 제거하여 금속층을 노출하는 단계와; 상기 일부 노출된 금속층을 식각하여 과도한 언더컷을 이루는 측면을 완만한 경사가 이루어 지도록 식각하여 데이터배선과 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터배선과 소스전극과 드레인전극이 형성된 기판의 전면에 제 2 절연층을 형성하고 패터닝하여 상기 드레인전극 상부에 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제 2 절연층 상에 투명 도전성금속을 형성하고 패터닝하여, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연층은 실리콘옥사이드(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(SiNX) 인 것을 특징으로 하는 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 패턴화된 포토레지스트의 측면부는 건식식각방식에 의해 제거되는 어레이기판 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 건식식각방식에 사용되는 식각가스는 산소(O2)+SF6의 혼합가스인 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트에 보호되지 않는 금속층은 습식식각 방식에 의해 제거되는 어레이기판 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 습식식각에 사용되는 식각용액은 질산+염소+염산+증류수(HNO3 +Cl2+HCl+DI)를 포함하는 혼합용액인 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 일부 포토레지트가 제거된 후 노출된 금속층의 측면부는 건식식각 방식에 의해 경사지게 형성되는 어레이기판 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 건식식각에 사용되는 식각가스는 염소+헬륨(Cl2+He)을 포함하는 혼합가스인 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 투명한 도전성금속인 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 어레이기판은 액정표시장치에 사용되는 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 어레이기판은 액정표시장치에 사용되는 어레이기판 제조방법
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