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기판을 구비하는 단계와; 일방향으로 연장되고 소정위치에서 돌출된 캐패시터 제 1 전극부와, 게이트전극을 가진 게이트배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연층 상에 상기 게이트전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 도전성 금속을 증착하고, 패터닝하여 상기 게이트배선의 캐패시터 제 1 전극부 내부에 위치하도록 캐패시터 제 2 전극과,상기 게이트배선과 교차하는 데이터배선과, 상기 액티브층 상에 이격된 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와; 상기 도전성 금속층이 형성된 기판에 절연층을 증착하고 패터닝하여, 상기 드레인전극 상부에 드레인 콘택홀과, 상기 캐패시터 제 2 전극 상부에 스토리지 콘택홀을 가진 제 2 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 절연층 상에 투명 도전성 금속을 증착하여, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉하고, 상기 스토리지 콘택홀을 통해 상기 캐패시터 제 2 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트배선과 상기 캐패시터 제 2 전극은 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈, 크롬을 포함하는 도전성 금속그룹 중에서 선택된 하나로 형성되는 어레이기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전성 금속은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 어레이기판 제조방법
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기판과; 상기 기판상에 형성되고, 게이트전극과, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 게이트전극을 포함하여 일방향으로 연장된 게이트배선과, 상기 게이트배선과 교차하는 데이타배선과; 상기 게이트배선의 일부인 캐패시터 제 1 전극과, 상기 게이트배선 상에서 상기 게이트배선 테두리 내부에 위치하는 캐패시터 제 2 전극과, 상기 캐패시터 제 1,2 전극 사이에 위치하는 유전층을 포함하는 스토리지 캐패시터와; 상기 드레인전극 및 상기 캐패시터 제 2 전극과 전기적으로 연결된 화소전극 을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
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제 4항에 있어서, 상기 게이트배선의 상기 캐패시터 제 1 전극은 상기 게이트배선의 연장된 방향에서 실질적으로 수직인 방향으로 돌출 형성된 돌출부를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
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제 4항에 있어서, 상기 게이트배선의 상기 캐패시터 제 1 전극은 상기 게이트배선의 연장된 방향에서 실질적으로 수직인 방향으로 돌출 형성된 돌출부를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
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