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박막트랜지스터 제조 방법 및 그를 이용한 액정표시소자제조방법

  • 기술번호 : KST2015023635
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요약 본 발명은 코플래너 구조를 가지는 박막트랜지스터 제조방법과 그를 이용한 액정표시소자 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 박막트랜지스터의 제조방법은 임의의 기판 상에 평탄화된 버퍼절연막을 형성하는 단계와, 상기 버퍼절연막의 상부에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 순차적으로 절연물질과 단일 금속으로 이루어지는 게이트 금속층을 형성하고 상기 절연물질 및 게이트 금속층을 동시에 패터닝하여 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막과 동일 형상을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 활성층, 게이트절연막, 게이트전극이 적층되어진 버퍼절연막의 상부에 층간절연막을 형성하고 상기 층간 절연막을 건식에칭하여 컨택홀을 형성하는 단계와, 희석용액을 이용한 클리닝(Cleaning) 공정에 의해 상기 건식에칭에 노출되어 형성된 상기 활성층의 결핍층을 제거하는 단계와, 상기 컨택홀을 통해 상기 활성층과 전기적으로 접속되는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면, 게이트전극으로 단일 금속층을 이용함으로써 박막트랜지스터 소자의 불량율을 최소화함과 아울러 제조공정을 단순화할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/786 (2000.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01)
출원번호/일자 1020000008305 (2000.02.21)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0778834-0000 (2007.11.16)
공개번호/일자 10-2001-0082829 (2001.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20071122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황광조 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-0031685-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0091568-97
4 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0091569-32
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0050414-68
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0610982-42
8 의견서
Written Opinion
2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0950153-58
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0950143-02
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0201525-53
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0409299-04
12 의견서
Written Opinion
2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0409307-82
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0612839-66
14 등록결정서
Decision to grant
2007.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0540136-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
임의의 기판 상에 평탄화된 버퍼절연막을 형성하는 단계와,상기 버퍼절연막의 상부에 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층 상에 순차적으로 절연물질과 단일 금속으로 이루어지는 게이트 금속층을 형성하고 상기 절연물질 및 게이트 금속층을 동시에 패터닝하여 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막과 동일 형상을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계와,상기 활성층, 게이트절연막, 게이트전극이 적층되어진 버퍼절연막의 상부에 층간절연막을 형성하고 상기 층간 절연막을 건식에칭하여 컨택홀을 형성하는 단계와,희석용액을 이용한 클리닝(Cleaning) 공정에 의해 상기 건식에칭에 노출되어 형성된 상기 활성층의 결핍층을 제거하는 단계와,상기 컨택홀을 통해 상기 활성층과 전기적으로 접속되는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 전극 형성 후 열처리하여 상기 활성층의 불순물을 활성화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
4 4
임의의 기판 상에 평탄화된 버퍼절연막을 형성하는 단계와,상기 버퍼절연막의 상부에 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층 상에 순차적으로 절연물질과 단일 금속으로 이루어지는 게이트 금속층을 형성하고 상기 절연물질 및 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막과 중첩되는 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 활성층, 게이트절연막, 게이트전극이 적층되어진 버퍼절연막의 상부에 층간절연막을 형성하고 상기 층간 절연막을 건식에칭하여 컨택홀을 형성하는 단계와,희석용액을 이용한 클리닝(Cleaning) 공정에 의해 상기 건식에칭에 노출되어 형성된 상기 활성층의 결핍층을 제거하는 단계와,상기 컨택홀을 통해 상기 활성층과 전기적으로 접속되는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와,상기 소오스 및 드레인 전극이 형성되어진 상기 층간절연막의 상부에 보호막을 형성하고 컨택홀을 형성하는 단계와,상기 컨택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되는 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 4 항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 전극 형성 후 열처리하여 상기 활성층의 불순물을 활성화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 투명전극 형성 후 열처리하여 상기 활성층의 불순물을 활성화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 희석용액으로는 HF 희석용액이 이용되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.