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저 유전물질 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 칩이나 액정표시장치에 사용되는 저 유전물질의 제조방법에 관한 것으로, 유전상수가 2인 미세 공극을 다수 함유하는 마이크론 단위의 저유전율 입자를 제조하여, 반도체소자의 쿼터 마이크론 기술(quarter micron technology)이나, 멀티레벨 인터커넥트 기술(multilevel interconnect technology)에 사용하여 근접 배선간에 발생하는 기생용량을 줄일 수 있어 신호지연을 방지할 수 있고, 저 유전물질을 필요로 하는 모든 물질에 사용하면 소자의 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01B 3/12 (2006.01)
CPC H01B 3/18(2013.01) H01B 3/18(2013.01)
출원번호/일자 1020000005327 (2000.02.03)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0594866-0000 (2006.06.22)
공개번호/일자 10-2001-0077502 (2001.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20060703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최수석 대한민국 경기도하남시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2000-0020696-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2005.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0061091-73
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0061092-18
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0027675-27
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0352147-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
1 1
고분자인 유상의 유전물질에 소량의 수용액을 첨가하고 교반하여 미세한 물방울이 내부에 함유된 유전물질을 형성하는 단계와; 상기 교반된 유전물질을 수용액상에 넣어 교반하여 상기 미세한 물방울이 내부에 함유된 유전물질을 다수의 입자화된 유전물질로 형성하는 단계와; 상기 입자화된 유전물질내의 물방울을 증발시켜 다수의 공극을 포함하는 입자를 형성하는 단계를 포함하는 저 유전물질 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 유전물질은 이미드계 고분자인 저유전물질 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 저 유전물질의 유전상수는 2 이하인 저유전물질 제조방법
4 4
제 1 항내지 제 3 항의 저유전물질 제조방법에 의해 제조된 저 유전물질
5 4
제 1 항내지 제 3 항의 저유전물질 제조방법에 의해 제조된 저 유전물질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.