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질화물 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023655
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요약 질화물 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층을 갖는 질화물 발광소자 제조방법에 있어서, 기판 위에 질소와 암모니아 가스의 혼합(N2+NH3) 분위기에서 900℃∼1100℃의 온도에서 제 1반도체층을, 700℃∼900℃의 온도에서 활성층을, 900℃∼1100℃의 온도에서 제 2반도체층을 각각 형성한 후, 질소(N2) 또는 질소(N2)와 불활성 가스(Ar, Ne, He)의 혼합 분위기에서 온도를 내리는 과정을 포함하여 이루어진다. 따라서, 본 발명은 활성층의 손상을 최소화하여 소자의 신뢰성을 향상시킨다. 질소, 암모니아, 수소, 불활성 가스
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020000006220 (2000.02.10)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0595177-0000 (2006.06.23)
공개번호/일자 10-2001-0083297 (2001.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20060703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신종언 대한민국 경기도성남시분당구
2 최윤호 대한민국 서울특별시성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2000-0024114-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2002.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-5138810-13
5 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2002.06.20 무효 (Invalidation) 1-1-2002-0192002-55
6 보정통지서
Request for Amendment
2002.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0044410-81
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2002.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-5164605-14
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2002.08.14 수리 (Accepted) 1-5-2002-0056376-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
10 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0062842-23
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0031325-13
13 등록결정서
Decision to grant
2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0303008-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층을 갖는 질화물 발광소자 제조방법에 있어서, 상기 기판 위에 질소와 암모니아 가스의 혼합(N2+NH3) 분위기에서 상기 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층을 각각 소정의 온도에서 형성하는 제 1단계; 상기 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층 형성 후에, 질소(N2) 또는 질소(N2)와 불활성 가스의 혼합 분위기에서 상기 소정 온도를 내리는 제 2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징을 하는 질화물 발광소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반도체층은 900℃∼1100℃ 온도에서 형성하고, 활성층은 700℃∼900℃ 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1단계에서, 상기 제 1반도체층 형성 전에 상기 기판 표면을 열 식각하는 단계와 상기 열 식각된 기판 위에 완충층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조방법
4 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1단계에서, 상기 제 1반도체층 형성 전에 상기 기판 표면을 열 식각하는 단계와 상기 열 식각된 기판 위에 완충층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.