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질화물 반도체막 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015023656
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요약 고품위의 질화물 반도체막 성장 방법에 관한 것으로, 기판 위에 질화물 반도체막을 형성한 후, 요철 등의 모양을 가진 특정한 형상의 패턴으로 질화물 반도체막을 식각한 다음, 그 위에 질화물 반도체막을 후속 성장시킴으로써, 반도체막 표면으로 전달되는 전파 전위(threading dislocation)의 밀도를 낮추어 안정적이고 우수한 성능을 가진 발광 소자를 얻을 수 있다. 질화물, 반도체막, 측면, 성장, 응력
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/02647(2013.01) H01L 21/02647(2013.01)
출원번호/일자 1020000007318 (2000.02.16)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0651971-0000 (2006.11.23)
공개번호/일자 10-2001-0083571 (2001.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20061130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재형 대한민국 서울특별시중랑구
2 양민 대한민국 서울특별시금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-0027962-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2002.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-5138810-13
5 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2002.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0192006-37
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2002.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-5164607-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
8 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0062844-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0335303-43
10 의견서
Written Opinion
2006.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0579598-03
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0579596-12
12 등록결정서
Decision to grant
2006.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0591842-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 제 1 질화물 반도체막을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1 질화물 반도체막 위에 유전막을 형성하고, 패터닝하여 소정 영역들의 제 1 질화물 반도체막을 노출시키는 단계;(c) 상기 노출된 제 1 질화물 반도체막을 식각하는 단계;(d) 상기 유전막을 제거하는 단계; 및(e) 상기 유전막이 제거된 제 1 질화물 반도체막 위에 제 2 및 제 3 반도체막을 측면 성장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체막 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 식각은,요철(凹凸) 형상의 패턴으로 식각되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체막 성장 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 식각된 패턴의 폭은,각각 1㎛∼100㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체막 성장 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계는,상기 제 2 질화물 반도체막을 형성하는 단계와,상기 제 2 질화물 반도체막을 요철 형상의 패턴대로 3중 측면 성장시키는 단계와,상기 측면 성장된 제 2 질화물 반도체막 위의 에지영역에 리지(ridge)형의 발광소자를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체막 성장 방법
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계는,상기 제 2 질화물 반도체막을 형성하는 단계와,상기 제 2 질화물 반도체막을 요철 형상의 패턴대로 3중 측면 성장시키는 단계와,상기 측면 성장된 제 2 질화물 반도체막 위의 에지영역에 리지(ridge)형의 발광소자를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체막 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.