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박막트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023657
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요약 본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서 기판 상의 소정 부분에 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층 상에 상기 활성층의 양측이 노출되도록 게이트절연막을 개재시켜 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 마스크로 사용하여 상기 활성층을 가열하면서 불순물을 이온 도핑하여 상기 활성층의 양측에 불순물영역을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 불순물영역을 형성하기 위한 이온 도핑 및 활성화를 동일한 장비에서 동시에 실시할 수 있으므로 장비가 간편해지고 공정이 단순해지며, 또한, 게이트전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자 1020000008306 (2000.02.21)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0724741-0000 (2007.05.28)
공개번호/일자 10-2001-0082830 (2001.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20070604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양준영 대한민국 경기도부천시원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-0031686-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0091579-99
4 출원심사청구서
Request for Examination
2005.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0091578-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0610981-07
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0950129-62
7 의견서
Written Opinion
2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0950136-82
8 등록결정서
Decision to grant
2007.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0201523-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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기판 상의 소정 부분에 활성층을 형성하는 공정과,상기 활성층 상에 상기 활성층의 양측이 노출되도록 게이트절연막을 개재시켜 게이트전극을 형성하는 공정과,상기 게이트전극을 마스크로 사용하여 상기 활성층을 가열하면서 불순물을 이온 도핑하여 상기 활성층의 양측에 불순물영역을 형성하는 공정을 구비하되,상기 활성층을 가열하는 가열수단과 상기 불순물 이온을 도핑하는 이온도핑수단이 동일한 챔버 내에 소정 간격 이격되게 설치된 장치를 이용하여 상기 불순물 영역을 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 불순물영역을 상기 챔버 내에 어레이영역을 갖는 투명기판을 장착한 후 상기 가열수단과 도핑수단을 상기 어레이영역 내의 일측으로부터 타측으로 동시에 이동하면서 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성층을 RTA(Rapid Thermal Annealing) 방법으로 가열하는 박막트랜지스터의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 활성층을 200∼300℃의 온도로 가열하는 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 불순물영역을 상기 이온 도핑된 불순물 이온을 자기 활성화시켜 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법
7 6
제 3 항에 있어서,상기 불순물영역을 상기 이온 도핑된 불순물 이온을 자기 활성화시켜 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.