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플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법

  • 기술번호 : KST2015023732
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요약 본 발명은 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판의 상하면에 형성되는 회로패턴을 전기적으로 연결하기 위한 홀(35)을 이방성 플라즈마를 이용하여 가공하는 것이다. 본 발명에서는 플라즈마를 모재(30)에 가함에 있어서, 모재(30)의 하면동박(32')에 직류음전압을 가해 플라즈마의 수직방향 운동량을 크게 하여 언더컷없이 절연재(31)를 제거하여 홀(35)을 형성하도록 한 것이다. 특히 상기 직류음전압은 가변할 수 있도록 하여 상기 홀(35)의 측벽 경사를 조절하였다. 이와 같은 본 발명에 의하면 홀(35)의 크기와 절연재(31)의 두께에 상관없이 정확하고 신속하게 홀(35)을 형성할 수 있게 되는 이점이 있다. 기판, 플라즈마, 언더컷
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H05K 3/005(2013.01)
출원번호/일자 1020000040527 (2000.07.14)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0572880-0000 (2006.04.14)
공개번호/일자 10-2000-0063462 (2000.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남진 대한민국 경기도오산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우린 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 ***, *층 (역삼동, 정호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2000-0147528-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2002.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-5199991-10
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2002.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2002-0327612-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
6 출원심사청구서
Request for Examination
2004.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-0465634-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0012035-87
9 등록결정서
Decision to grant
2006.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0104230-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
플라즈마 쳄버 내에서 절연재의 상면 또는 하면에 개구부를 형성된 금속층을 구비한 기판에 홀을 천공함에 있어서 기판의 상면과 마주보게 플라즈마 형성을 위한 전극을 설치하고, 상기 기판의 상면 금속층은 접지시키고, 상기 기판의 하면 금속층에는 가변직류전압을 공급하여, 상기 전극에 소정의 전압을 가해서 플라즈마를 형성하고 별도의 플라즈마촉진을 위한 가스를 공급하면서 상기 절연재를 제거함을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 가변직류전압은 음전압임을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 상면 금속층과 마주보는 전극에는 300에서 1200W의 출력이 가해짐을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마촉진을 위한 가스는 산소(O2)를 포함하는 가스임을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 가변직류전압의 세기를 조절하여 가공되는 홀의 측벽 각도를 결정함을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법
6 5
제 1 항에 있어서, 상기 가변직류전압의 세기를 조절하여 가공되는 홀의 측벽 각도를 결정함을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판의 홀가공방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.