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엑스-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023749
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패드부(Pad)를 외부로 노출시키기 위해 상기 패드부(Pad) 건식 식각시 발생하는 건식 시간을 단축함과 아울러 포토레지스트의 마진을 개선하기 위한 X-선 검출용 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 제공하는데 있다.본 발명은 X-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조 방법에 있어서, 기판 상에 게이트패드, 데이터패드 및 상기 박막트랜지스터의 게이트전극을 동시에 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 상에 박막트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 보호를 위한 패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 패시베이션층 상에 전하가 충전되기 위한 스토리지 절연막을 형성하는 단계와; 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드와 대응되는 부분에 형성된 스토리지 절연막을 제외한 다른 부분에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 스토리지 절연막을 소정의 혼합가스를 이용하여 건식 식각하는 단계와; 상기 게이트패드 및 데이터패드와 대응되게 형성된 스토리지 절연막을 제외한 다른 부분에 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트패드 및 데이터패드와 대응되게 형성된 스토리지 절연막을 제외한 다른 부분에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 패시베이션층 및 게이트절연막을 소정의 혼합가스를 이용하여 순차적으로 건식 식각하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 27/14658(2013.01) H01L 27/14658(2013.01) H01L 27/14658(2013.01) H01L 27/14658(2013.01) H01L 27/14658(2013.01)
출원번호/일자 1020000050588 (2000.08.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0730064-0000 (2007.06.13)
공개번호/일자 10-2002-0017339 (2002.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20070620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준호 대한민국 경상북도구미시임
2 추교섭 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0182023-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 출원심사청구서
Request for Examination
2005.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0470825-61
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.08.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0470818-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0634016-24
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0983983-99
7 의견서
Written Opinion
2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0983989-62
8 등록결정서
Decision to grant
2007.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0225139-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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X-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법에 있어서,기판 상에 게이트패드, 데이터패드 및 상기 박막트랜지스터의 게이트전극을 동시에 형성하는 단계와;상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 상에 박막트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터 보호를 위한 패시베이션층을 형성하는 단계와;상기 패시베이션층 상에 전하가 충전되기 위한 스토리지 절연막을 형성하는 단계와;상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드와 대응되는 부분에 형성된 스토리지 절연막을 제외한 다른 부분에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 스토리지 절연막을 소정의 혼합가스를 이용하여 건식 식각하는 단계와;상기 게이트패드 및 데이터패드와 대응되게 형성된 스토리지 절연막을 제외한 다른 부분에 화소전극을 형성하는 단계와;상기 게이트패드 및 데이터패드와 대응되게 형성된 스토리지 절연막을 제외한 다른 부분에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 패시베이션층 및 게이트절연막을 소정의 혼합가스를 이용하여 순차적으로 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 게이트절연막은 질화실리콘이 4000Å 두께로 형성되고,상기 패시베이션층은 벤조 시클로 부텐이 13000Å 두께로 형성되고,상기 스토리지 절연막은 질화실리콘이 3000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 X-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 건식 식각에 이용되는 혼합가스는 SF6 + 02 + He로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 건식 식각에 이용되는 혼합가스는 SF6 + 02 + He로 구성되는 것을 특징으로 하는 X-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.