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제1 금속전극, 상기 제1 금속전극을 덮고 제1 접촉홀에서 상기 금속전극의 일측을 노출시키는 게이트 절연막, 및 상기 제1 접촉홀을 통해 상기 제1 금속전극과 접속된 제1 투명전극패턴을 포함하여 데이터 구동회로의 출력단자와 접속되는 데이터패드부; 상기 제1 금속전극과 그 위에 형성되는 상기 게이트 절연막을 포함하고 상기 게이트 절연막에 상기 제1 금속전극의 타측을 노출시키는 제2 접촉홀이 형성된 데이터링크부; 반도체층, 상기 제1 금속전극과 분리되고 상기 반도체층 상에 형성되는 제2 금속전극, 상기 제2 금속전극을 덮고 제3 접촉홀에서 상기 제2 금속전극의 일부를 노출시키는 페시베이션층을 포함하고 게이트라인과 교차하는 데이터라인; 및 상기 제2 접촉홀을 통해 상기 제1 금속전극과 접속되고 상기 제3 접촉홀을 통해 상기 제2 금속전극과 접속되어 상기 데이터링크부와 상기 데이터라인을 전기적으로 연결하는 제2 투명전극패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 데이터라인의 상기 반도체층은 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속전극은 알루미늄(Al)과 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2 금속전극은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄 또는 탄탈륨 등의 금속이나, MoW, MoTa, MoNb 중 어느 하나를 포함하는 몰리브덴 합금(Mo alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극 패턴들은 인듐주석산화물(ITO), 주석산화물(TO), 인듐아연산화물(IZO) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 비정질 실리콘 또는 다결정실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션층은 산화실리콘(SiOx), 질화실리콘(SiNx) 중 어느 하나를 포함한 무기 절연재료나, 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(β-stagged-divinyl-siloxane benzocyclobutene), PFCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나를 포함한 유기 절연재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자
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서로 교차되는 데이터라인 및 게이트라인, 데이터 구동회로의 출력단자와 접속이 가능한 데이터패드부, 및 상기 데이터라인과 상기 데이터패드부를 전기적으로 연결하는 데이터링크부를 포함하는 액정 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 데이터패드부, 상기 데이터링크부 및 상기 데이터라인에서 투명기판 상에 제1 금속전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터패드부, 상기 데이터링크부 및 상기 데이터라인에서 상기 제1 금속전극을 덮도록 상기 투명기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 데이터패드부에서 상기 게이트 절연막을 관통하는 제1 접촉홀을 형성하고 상기 데이터링크부에서 상기 게이트 절연막을 관통하는 제2 접촉홀을 형성하여 상기 제1 금속전극의 일측과 상기 제1 금속전극의 타측을 노출시키는 단계와; 상기 제1 접촉홀을 통해 상기 제1 금속전극과 접속되도록 상기 게이트 절연막 상에 제1 투명전극 패턴을 형성하는 단계와; 상기 데이터라인에서 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 데이터라인에서 상기 반도체층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계와; 상기 데이터라인에서 상기 제2 금속전극을 덮도록 상기 제2 금속층과 상기 반도체층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 데이터라인에서 상기 패시베이션층을 관통하는 제3 접촉홀을 형성하여 상기 제2 금속전극의 일부를 노출시키는 단계와; 상기 데이터라인에서 상기 제2 접촉홀을 통해 상기 제1 금속전극과 접속되고 상기 제3 접촉홀을 통해 상기 제2 금속전극과 접속되는 제2 투명전극 패턴을 상기 패시베이션층 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제1 금속전극은 알루미늄(Al)과 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제2 금속전극은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄 또는 탄탈륨 등의 금속이나, MoW, MoTa, MoNb 중 어느 하나를 포함하는 몰리브덴 합금(Mo alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 투명전극 패턴들은 인듐주석산화물(ITO), 주석산화물(TO), 인듐아연산화물(IZO) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 반도체층은 비정질 실리콘 또는 다결정실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 패시베이션층은 산화실리콘(SiOx), 질화실리콘(SiNx) 중 어느 하나를 포함한 무기 절연재료나, 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(β-stagged-divinyl-siloxane benzocyclobutene), PFCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나를 포함한 유기 절연재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 제조방법
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