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비정질 박막트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015023801
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘 박막트랜지스터에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 저온공정으로 식각률이 향상되며, 반응가스로 수소를 첨가함으로써 막질특성이 개선된 실리콘 질화막으로 이루어진 게이트 절연막 및 보호막을 포함하는 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 종래에는, 게이트 절연막 및 보호막의 제조공정시 증착온도를 각각 300℃, 200℃ 이상에서 하는데, 상기 증착온도에서 형성된 실리콘 질화막은 10Å/sec 미만으로 식각률이 떨어지는 단점이 있었다. 본 발명에서는 상기 문제점을 해결하기 위해, 1,000sccm의 수소를 반응가스로 첨가하고, , 150℃ 이하의 저온공정하에서 증착하여, 200:1 BHF로 식각시 10Å/sec 이상의 식각률을 가지는 실리콘 질화막으로 이루어진 게이트 절연막 및 보호막을 포함하는 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제공하는 것이다. 즉, 본 발명에 의하면, 종래에 비해 실리콘 질화막의 식각률이 향상되어 전체 공정시간이 단축되며, 상기 공정과정에 수소를 첨가하여 상기 게이트 절연막 및 보호막의 막질개선을 꾀할 수 있으며, 저온공정이라 공정비용이 절감되고, 기판의 재료를 가벼운 플라스틱으로 대체할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01)
출원번호/일자 1020000041208 (2000.07.19)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0641627-0000 (2006.10.26)
공개번호/일자 10-2002-0007766 (2002.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20061102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재범 대한민국 경기도수원시팔달구
2 연덕철 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-0149803-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0261713-10
4 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2005.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0261712-64
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0064638-50
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0618283-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기판을 증착장비 내에 장착하여, 암모니아(NH3), 질소(N2), 싸일렌(SiH4)과 900~1,000sccm 수소를 함께 인입하는 단계와; 상기 혼합가스가 인입된 증착장비의 내부에 플라즈마를 형성하여, 100~150℃의 증착온도하에서 상기 기판 상에 실리콘 질화막(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막상에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)와 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)을 연속증착하여 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층 상에 소정간격 이격된 소스 및 드레인 전극을 별도의 증착장비에서 증착하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극상에 상기 액티브층과 접하며, 상기 게이트 절연막과 동일한 장비내에서 동일한 물질로 동일한 공정을 거쳐 보호막을 형성하는 단계 를 포함하는 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
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제 1 항의 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법에 의해 제조된 비정질 실리콘 박막트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 게이트 절연막과 보호막의 항복전압값은 7
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제 2 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 게이트 절연막과 보호막의 항복전압값은 7
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.