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액정표시소자의 화소전극재료 및 그 에칭방법

  • 기술번호 : KST2015023803
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화소전극 패터닝시 금속배선의 부식이나 손상을 방지하기에 적합한 화소전극재료 및 그 에칭방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 액정표시소자의 화소전극재료는 옥살릭계산을 포함한 약산의 에천트로 에칭되는 비정질 구조의 투명 전도성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G02F 1/1343 (2006.01)
CPC G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01)
출원번호/일자 1020000048431 (2000.08.21)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0690003-0000 (2007.02.26)
공개번호/일자 10-2002-0015237 (2002.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20070308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류순성 대한민국 경상북도구미시형
2 곽동영 대한민국 대구광역시달서구
3 김후성 대한민국 서울특별시성북구
4 정유호 대한민국 경상북도구미시진
5 김용완 대한민국 경상북도구미시진
6 이우채 대한민국 경상북도구미시진
7 박덕진 대한민국 대구광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-0175068-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.08.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0443867-45
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0443868-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0665747-07
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0033865-73
7 의견서
Written Opinion		 2007.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0033873-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0044036-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트금속층 상의 화소전극재료를 에칭함으로써 화소전극패턴이 형성된 액정표시소자에 있어서,상기 화소전극은 옥살릭계산을 포함한 약산의 에천트로 에칭되는 비정질 구조의 투명 전도성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 투명 전도성 재료는 인듐징크옥사이드(Indium Zinc Oxide), 인듐틴징크옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide), 비정질 인듐틴옥사이드(Amorpous Indium Tin Oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료
3 3
삭제
4 4
제 2 항에 있어서,상기 에천트는 (COOH)2를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료
5 5
게이트금속층의 화소전극재료를 에칭함으로써 화소전극패턴을 형성하는 액정표시소자의 제조방법에 있어서,비정질 구조의 투명 전도성 재료를 상기 게이트금속층 상에 형성하는 단계와,상기 비정질 구조의 투명 전도성 재료층을 옥살릭계산을 포함한 약산의 에천트로 에칭하여 화소전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료 에칭방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 투명 전도성 재료는 인듐징크옥사이드(Indium Zinc Oxide), 인듐틴징크옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide), 비정질 인듐틴옥사이드(Amorpous Indium Tin Oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료 에칭방법
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서,상기 에천트는 (COOH)2를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료 에칭방법
9 8
제 6 항에 있어서,상기 에천트는 (COOH)2를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소전극재료 에칭방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.