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유기 전계발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015023893
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요약 본 발명은 유기 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 상기 유기 전계발광소자는 투명기판 위에 형성된 화소전극과, 금속전극이 중첩하는 영역에 제 1, 제 2, 제 3발광픽셀을 갖는 유기 전계발광소자에 있어서, 상기 제 1발광픽셀 수의 1/L배 만큼의 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 L-1회 이동시켜 상기 제 1발광픽셀에 형성된 제 1발광층과, 상기 제 2발광픽셀 수의 1/M배 만큼의 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 M-1회 이동시켜 상기 제 2발광픽셀에 형성된 제 2발광층과, 상기 제 3발광픽셀 수의 1/N배 만큼의 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 N-1회 이동시켜 상기 제 3발광픽셀에 형성된 제 3발광층을 포함하여 구성되며, 다수 개의 상기 제 1, 제 2, 제 3발광픽셀 당 열방향, 행방향, 대각선방향 중 어느 하나로 배열된 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 이용하여 텐션에 의한 쉐도우마스크의 변형을 줄이고, 고해상도를 가지며 대형화가 가능한 유기 전계발광소자를 제공한다. 유기 전계발광소자
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/0011(2013.01) H01L 51/0011(2013.01) H01L 51/0011(2013.01)
출원번호/일자 1020000085559 (2000.12.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0698033-0000 (2007.03.15)
공개번호/일자 10-2002-0056238 (2002.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20070323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재용 대한민국 서울특별시구로구
2 김성기 대한민국 서울특별시강북구
3 이남양 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-0285961-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0773135-49
4 출원심사청구서
Request for Examination
2005.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0773137-30
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001548-74
7 등록결정서
Decision to grant
2007.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0097833-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판 위에 형성된 화소전극과, 금속전극이 중첩하는 영역에 제 1, 제 2, 제 3발광픽셀을 갖는 유기 전계발광소자에 있어서, 상기 제 1발광픽셀 수의 1/L배 만큼의 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 L-1회 이동시켜 상기 제 1발광픽셀에 형성된 제 1발광층;상기 제 2발광픽셀 수의 1/M배 만큼의 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 M-1회 이동시켜 상기 제 2발광픽셀에 형성된 제 2발광층;상기 제 3발광픽셀 수의 1/N배 만큼의 오픈부를 갖는 쉐도우마스크를 N-1회 이동시켜 상기 제 3발광픽셀에 형성된 제 3발광층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 쉐도우마스크는 다수 개의 상기 제 1, 제 2, 제 3발광픽셀 당 열방향, 행방향, 대각선방향 중 어느 하나로 배열된 오픈부를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 L, M, N은 2 이상의 자연수인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
4 4
화소전극과 금속전극이 중첩하는 영역에 제 1, 제 2, 제 3발광픽셀을 갖는 유기 전계발광소자의 제조 방법에 있어서, 투명기판 위에 화소전극을 형성하는 단계;상기 제 1발광픽셀 수의 1/L(L은 2이상의 자연수)배 만큼 제 1발광층을 형성하고, 이를 L-1회 반복하여 제 1발광층을 형성하는 단계;상기 제 2발광픽셀 수의 1/M(M은 2이상의 자연수)배 만큼 제 2발광층을 형성하고, 이를 M-1회 반복하여 제 2발광층을 형성하는 단계;상기 제 3발광픽셀 수의 1/N(N은 2이상의 자연수)배 만큼 제 3발광층을 형성하고, 이를 N-1회 반복하여 제 3발광층을 형성하는 단계;상기 제 1, 제 2, 제 3발광층을 포함한 전면, 또는 상기 화소전극과 중첩하는 영역 중 어느 하나에 금속전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자 제조방법
5 4
화소전극과 금속전극이 중첩하는 영역에 제 1, 제 2, 제 3발광픽셀을 갖는 유기 전계발광소자의 제조 방법에 있어서, 투명기판 위에 화소전극을 형성하는 단계;상기 제 1발광픽셀 수의 1/L(L은 2이상의 자연수)배 만큼 제 1발광층을 형성하고, 이를 L-1회 반복하여 제 1발광층을 형성하는 단계;상기 제 2발광픽셀 수의 1/M(M은 2이상의 자연수)배 만큼 제 2발광층을 형성하고, 이를 M-1회 반복하여 제 2발광층을 형성하는 단계;상기 제 3발광픽셀 수의 1/N(N은 2이상의 자연수)배 만큼 제 3발광층을 형성하고, 이를 N-1회 반복하여 제 3발광층을 형성하는 단계;상기 제 1, 제 2, 제 3발광층을 포함한 전면, 또는 상기 화소전극과 중첩하는 영역 중 어느 하나에 금속전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.