1 |
1
기판 상에 비정질실리콘을 증착하는 단계와;상기 비정질실리콘 표면에 PSG(인(P)이 포함된 박막) 또는 BSG(보론(B)이 포함된 막)박막을 형성하는 단계와;상기 PSG 또는 BSG 박막이 형성된 비정질 실리콘에 레이저를 조사하여 상기 박막 내부의 상기 인(P) 또는 보론(B)이 상기 비정질 실리콘으로 확산되도록 하여 상기 비정질 실리콘을 결정화하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 형성방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 PSG막은 산소분위기에서 SiH4와 PH3를 반응하도록 하여 형성하는 다결정 실리콘 형성방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 BSG막은 산소분위기에서 SiH4와 B2H6를 반응하도록 하여 형성하는 다결정 실리콘 형성방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 PSG또는 BSG박막은 화학기상증착법을 이용하여 형성하는 다결정 실리콘 형성방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 레이저 조사는 308nm의 파장대의 레이저를 발생시키는 엑시머레이저 조사인 다결정 실리콘 형성방법
|
6 |
6
기판을 구비하는 단계와;상기 기판 상의 소정의 위치에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 노출된 기판 상에 절연막을 증착하는 단계와;상기 절연막 상에 순수 비정질 실리콘을 증착하는 단계와;상기 비정질 실리콘 표면에 PSG(인(P)이 포함된 박막) 또는 BSG(보론(B)이 포함된 막)박막을 형성하는 단계와;상기 PSG 또는 BSG 박막이 형성된 비정질 실리콘에 레이저를 조사함으로써 상기 박막 내부의 인(P) 또는 보론(B)이 확산된 표면을 가진 결정질 실리콘으로 형성하여, 불순물 반도체층/순수 반도체층을 형성하는 단계와;상기 불순물 반도체층과 순수 반도체층을 동시에 패터닝하여, 상기 게이트전극 상부에 아일랜드(island) 형태로 겹쳐 형성된 액티브층(active layer)과 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 형성하는 단계와;상기 오믹콘택층(ohmic contact layer)이 형성된 기판의 전면에 도전성 금속물질을 증착하고 패터닝하여, 각각 상기 오믹콘택층(ohmic contact layer)과 겹쳐 형성되며 서로 이격하는 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 형성방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 PSG막은 산소분위기에서 SiH4와 PH3를 반응하도록 하여 형성하는 박막트랜지스터 형성방법
|
8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 BSG막은 산소분위기에서 SiH4와 B2H6를 반응하도록 하여 형성하는 박막트랜지스터 형성방법
|
9 |
9
제 6 항에 있어서, 상기 PSG또는 BSG박막은 화학기상증착법을 이용하여 형성한 박막트랜지스터 형성방법
|
10 |
10
제 6 항에 있어서,상기 레이저 조사는 308nm의 파장대의 레이저를 발생시키는 엑시머레이저 조사인 박막트랜지스터 형성방법
|
11 |
11
제 6 항에 있어서,상기 소스전극과 드레인전극 사이에 노출된 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 박막트랜지스터 형성방법
|
12 |
11
제 6 항에 있어서,상기 소스전극과 드레인전극 사이에 노출된 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 박막트랜지스터 형성방법
|