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절연기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘층 상에 금속박막층을 형성하는 단계; 상기 금속 박막층상의 좌우 소정영역에 전극을 형성하는 단계; 상기 전극에 전계를 인가함과 동시에 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계; 상기 비정질 실리콘층을 결정화한 후, 섬 모양의 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체층 전면에 도판트를 주입하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속박막층의 두께는 1
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제 1 항에 있어서, 상기 금속박막층은 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전극은 몰리브덴(Mo), 그라파이트(Graphite) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘을 결정화하는 단계는, 상기 전극에 인가되는 전압이 30∼100V/cm, 인가하는 시간은 15분∼2시간, 열처리 온도는 300∼580℃의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법
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6
제 1 항에 있어서, 상기 도판트는 다결정 실리콘층 상에 잔류하는 미반응 금속의 전기적 극성에 따라 n- 또는 p-형 도판트를 각각 주입하는 것을 특징으로 하는 다결정화 방법
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7
제 6 항에 있어서, 상기 n-형 도판트는 인(P)이고, 상기 p-형 도판트는 붕소(B)인 것을 특징으로 하는 다결정화 방법
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8
제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 공정과, 상기 제 1 기판 상에 버퍼층을 형성하는 공정과, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 비정질 실리콘층 상에 금속박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속박막층상의 좌우 소정영역에 전극을 형성하는 공정과, 상기 전극에 전계를 인가함과 동시에 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 공정과, 상기 비정질 실리콘층을 결정화한 후, 섬 모양의 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 상의 반도체층에 상응하는 영역에 도판트를 주입하는 공정과, 상기 게이트 절연막 상의 소정부위에 게이트 전극 및 게이트 라인들을 형성하는 공정과, 상기 반도체층에 이온을 도핑하여 소스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체층을 활성화시키는 공정과, 상기 반도체층과 게이트 전극 상에 층간절연막을 형성한 후, 상기 소스/드레인 영역의 일부를 노출시키는 공정과, 상기 노출된 반도체층과 연결되도록 소스/드레인 전극 및 데이터 라인들을 형성하는 공정과, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 금속박막층의 두께는 1
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제 8 항에 있어서, 상기 금속박막층은 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 전극은 몰리브덴(Mo), 그라파이트(Graphite) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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12
제 8항에 있어서, 상기 비정질 실리콘을 결정화하는 단계는 상기 전극에 인가되는 전압이 30-100V/cm, 인가하는 시간이 15분∼2시간, 열처리 온도는 300∼580℃의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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13
제 8 항에 있어서, 상기 도판트는 다결정 실리콘층 상에 잔류하는 미반응 금속의 전기적 극성에 따라 n- 또는 p-형 도판트를 각각 주입하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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14
제 13 항에 있어서, 상기 n-형 도판트는 인(P)이고, 상기 p-형 도판트는 붕소(B)인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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15
제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극은 AlNd, Mo의 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 실리콘 질화막과 BCB의 이중절연막을 형성하는 공정과, 상기 이중절연막을 일부 식각하여 드레인 전극을 노출시켜서 상기 화소전극과 전기적으로 연결하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 실리콘 질화막과 BCB의 이중절연막을 형성하는 공정과, 상기 이중절연막을 일부 식각하여 드레인 전극을 노출시켜서 상기 화소전극과 전기적으로 연결하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
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