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기판의 위로 소정의 간격을 두고 형성된 캐소드전극 및 게이트전극과; 상기 캐소드전극의 위로 성막된 촉매전이금속 복합체 및 절연층과; 상기 절연층의 위로 성막되어 애노드에 의한 전계의 직접적인 영향을 배제시켜 애노드에 의한 전계방출을 방지하는 전계차폐층; 및 게이트전극으로 수십 볼트의 일정 전압이 가해질 때 발생되는 전계로부터 전자를 방출하도록 상기 캐소드전극에 성막된 촉매전이금속 복합체의 부위에서 게이트 전극의 방향으로 배향되게 성장된 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 촉매전이금속 복합체는, 전이금속-전이금속이나 전이금속-비전이금속의 복합체로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극은 소정의 높이를 갖는 절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극과 게이트전극 사이에 양전압과 음전압이 적절하게 가해지는 중간전극이 추가 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
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기판 위에 캐소드전극과 게이트전극을 소정의 간격을 두고 형성한 후 그 위에 촉매전이금속 복합체를 성막시키는 단계와; 상기 촉매전이금속 복합체의 위에는 절연층과 전계차폐층을 성막시킨 후, 성막된 절연층과 전계차폐층을 건식이나 습식 에칭에 의해 패터닝시키는 단계; 및 상기 촉매전이금속 복합체는 절연층 및 전계차폐층 보다 좀더 식각하여 언더컷한 후, 터미널 또는 플라즈마 CVD법으로 기판의 온도범위내에서 탄소나노튜브를 촉매금속부위에만 게이트 전극 방향으로 배향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 크기 조절은, 전이금속-전이금속 또는 전이금속-비전이금속외 다른물질들의 성분비 조절로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 크기 조절은, 전이금속-전이금속 또는 전이금속-비전이금속외 다른물질들의 성분비 조절로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법
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