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탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024231
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자는, 기판의 위로 소정의 간격을 두고 형성된 캐소드전극 및 게이트전극과; 캐소드전극의 위로 성막된 촉매전이금속 복합체 및 절연층과; 절연층의 위로 성막되어 애노드에 의한 전계의 직접적인 영향을 배제시켜 애노드에 의한 전계방출을 방지하는 전계차폐층; 및 게이트전극으로 수십 볼트의 일정 전압이 가해질 때 발생되는 전계로부터 전자를 방출하도록 캐소드전극에 성막된 촉매전이금속 복합체의 부위에서 게이트 전극의 방향으로 배향되게 성장된 탄소나노튜브를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법은, 기판 위에 캐소드전극과 게이트전극을 소정의 간격을 두고 형성한 후 그 위에 촉매전이금속 복합체를 성막시키는 단계와; 촉매전이금속 복합체의 위에는 절연층과 전계차폐층을 성막시킨 후, 성막된 절연층과 전계차폐층을 건식이나 습식 에칭에 의해 패터닝시키는 단계; 및 촉매전이금속 복합체는 절연층 및 전계차폐층 보다 좀더 식각하여 언더컷한 후, 터미널 또는 플라즈마 CVD법으로 기판의 온도범위내에서 탄소나노튜브를 촉매금속부위에만 게이트 전극 방향으로 배향시키는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020010000120 (2001.01.03)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0697515-0000 (2007.03.13)
공개번호/일자 10-2002-0057636 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조원기 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2001-0000675-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2002.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-5138823-06
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2002.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0207623-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
6 출원심사청구서
Request for Examination
2006.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0002131-29
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001567-31
9 등록결정서
Decision to grant
2007.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0092130-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
기판의 위로 소정의 간격을 두고 형성된 캐소드전극 및 게이트전극과; 상기 캐소드전극의 위로 성막된 촉매전이금속 복합체 및 절연층과; 상기 절연층의 위로 성막되어 애노드에 의한 전계의 직접적인 영향을 배제시켜 애노드에 의한 전계방출을 방지하는 전계차폐층; 및 게이트전극으로 수십 볼트의 일정 전압이 가해질 때 발생되는 전계로부터 전자를 방출하도록 상기 캐소드전극에 성막된 촉매전이금속 복합체의 부위에서 게이트 전극의 방향으로 배향되게 성장된 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 촉매전이금속 복합체는, 전이금속-전이금속이나 전이금속-비전이금속의 복합체로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극은 소정의 높이를 갖는 절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극과 게이트전극 사이에 양전압과 음전압이 적절하게 가해지는 중간전극이 추가 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자
5 5
기판 위에 캐소드전극과 게이트전극을 소정의 간격을 두고 형성한 후 그 위에 촉매전이금속 복합체를 성막시키는 단계와; 상기 촉매전이금속 복합체의 위에는 절연층과 전계차폐층을 성막시킨 후, 성막된 절연층과 전계차폐층을 건식이나 습식 에칭에 의해 패터닝시키는 단계; 및 상기 촉매전이금속 복합체는 절연층 및 전계차폐층 보다 좀더 식각하여 언더컷한 후, 터미널 또는 플라즈마 CVD법으로 기판의 온도범위내에서 탄소나노튜브를 촉매금속부위에만 게이트 전극 방향으로 배향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 크기 조절은, 전이금속-전이금속 또는 전이금속-비전이금속외 다른물질들의 성분비 조절로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법
7 6
제 5 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 크기 조절은, 전이금속-전이금속 또는 전이금속-비전이금속외 다른물질들의 성분비 조절로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.