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제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 일렬로 형성된 블랙 매트릭스;상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 컬러필터층;상기 컬러필터층 상에 형성된 오버코트층;상기 오버코트층 상에서 상기 블랙 매트릭스와 교차되도록 형성된 게이트 배선;상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 형성된 콘택홀;상기 콘택홀을 통해 상기 블랙 매트릭스와 연결되도록 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극으로부터 일정간격 이격된 드레인 전극;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 형성된 보호막;상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 블랙 매트릭스의 모서리 부분과 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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제 1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극 하부에 게이트 전극 및 반도체층이 더 포함되어 박막트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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4 |
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제 1 항에 있어서, 상기 오버코트층으로 2
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제 4 항에 있어서, 상기 저유전율을 가지는 물질로 BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴 수지(Acryl resin) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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제 1 항에 있어서, 상기 보호막으로 실리콘 질화물(SiNx)이 사용되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판; 상기 제 1 기판에 대향되도록 합착된 제 2 기판; 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo)의 적층구조, 및 크롬(Cr)과 알루미늄(Al)의 적층구조 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo)의 적층구조, 및 크롬(Cr)과 알루미늄(Al)의 적층구조 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
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