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TFT 액정패널

  • 기술번호 : KST2015024248
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요약 본 발명은 하나의 기판 위에 컬러필터층과 TFT 어레이를 형성하는 구조에서 컬러필터층 상부의 오버코트층으로 저유전율의 물질로 사용함으로써, 취급이 우수한 실리콘 질화물을 보호막으로 사용하는 TFT 액정패널에 관한 것으로서, 특히 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에 일렬로 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 컬러필터층과, 상기 컬러필터층 상에 형성된 오버코트층과, 상기 오버코트층 상에서 상기 블랙 매트릭스와 교차되도록 형성된 게이트 배선과, 상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 형성된 콘택홀과, 상기 콘택홀을 통해 상기 블랙 매트릭스와 연결되도록 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극으로부터 일정간격 이격된 드레인 전극과, 상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다. TOC, 기생용량, 실리콘질화막
Int. CL G02F 1/1333 (2006.01)
CPC G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01)
출원번호/일자 1020000086742 (2000.12.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0710151-0000 (2007.04.16)
공개번호/일자 10-2002-0058628 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 경기도군포시
2 서현식 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0287808-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0059077-39
3 출원심사청구서
Request for Examination
2005.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0623931-47
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.10.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0623930-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0684534-79
6 의견서
Written Opinion
2007.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0006545-45
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0006544-00
8 등록결정서
Decision to grant
2007.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0173818-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 일렬로 형성된 블랙 매트릭스;상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 컬러필터층;상기 컬러필터층 상에 형성된 오버코트층;상기 오버코트층 상에서 상기 블랙 매트릭스와 교차되도록 형성된 게이트 배선;상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 형성된 콘택홀;상기 콘택홀을 통해 상기 블랙 매트릭스와 연결되도록 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극으로부터 일정간격 이격된 드레인 전극;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 형성된 보호막;상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 블랙 매트릭스의 모서리 부분과 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극 하부에 게이트 전극 및 반도체층이 더 포함되어 박막트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 오버코트층으로 2
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 저유전율을 가지는 물질로 BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴 수지(Acryl resin) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 보호막으로 실리콘 질화물(SiNx)이 사용되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판; 상기 제 1 기판에 대향되도록 합착된 제 2 기판; 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo)의 적층구조, 및 크롬(Cr)과 알루미늄(Al)의 적층구조 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
9 8
제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo)의 적층구조, 및 크롬(Cr)과 알루미늄(Al)의 적층구조 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT 액정패널
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.