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실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터제조 방법

  • 기술번호 : KST2015024307
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 촉매 금속을 이용한 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 기판에 비정질 실리콘막을 증착하고, 상기 비정질 실리콘막의 전면에 탄소와 니켈을 함유한 가스를 사용한 화학기상증착법으로 탄소가 함유된 니켈층을 증착하며, 상기 탄소가 함유된 니켈층이 증착된 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시켜 박막트랜지스터의 활성층으로 이용하는것이다. 실리콘의 결정화 방법, 박막트랜지스터, 다결정 실리콘 박막트랜지스터
Int. CL H01L 21/225 (2006.01)
CPC H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1020010030037 (2001.05.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0539583-0000 (2005.12.22)
공개번호/일자 10-2002-0091313 (2002.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20051229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조흥렬 대한민국 서울특별시강남구
2 이동훈 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-0128479-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2002.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0002329-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0105754-23
5 의견서
Written Opinion
2003.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0151678-27
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0151677-82
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2003.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0465825-10
8 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2003.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2003-0011077-43
9 심사전치출원의 심사결과보고서
Notice of Result of Reexamination
2004.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0020853-64
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0453339-86
11 의견서
Written Opinion
2005.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0632789-60
12 등록결정서
Decision to grant
2005.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0601095-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 비정질 실리콘막을 증착하는 제 1 단계와, 상기 비정질 실리콘막의 전면에 탄소와 니켈을 함유한 가스를 사용한 화학기상증착법으로 탄소가 함유된 니켈층을 증착하는 제 2 단계와, 상기 탄소가 함유된 니켈층이 증착된 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시키는 제 3 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘의 결정화 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 탄소는 CH4, 또는 C2H6를 이용함을 특징으로 하는 실리콘의 결정화 방법
5 5
기판에 버퍼층을 증착하는 제 1 단계와, 상기 기판에 비정질 실리콘막을 증착하는 제 2 단계와, 상기 비정질 실리콘막의 전면에 탄소와 니켈을 함유한 가스를 사용한 화학기상증착법으로 탄소가 함유된 니켈층을 증착하고 열처리하여 상기 비정질 실리콘막을 결정화시키는 제 3 단계와, 상기 탄소가 함유된 니켈층을 제거하고 상기 결정화된 실리콘층을 선택적으로 제거하여 활성층을 형성하는 제 4 단계와, 전면에 게이트 절연막을 증착하고 상기 활성층 상측의 게이트 절연막위에 게이트 전극을 형성하는 제 5 단계와, 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 활성층에 n형 또는 p형 불순물을 이온 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 제 6 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 전면에 층간 절연막을 증착하고, 상기 소오스/드레인 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 제 7 단계와, 상기 콘택 홀을 통해 상기 소오스/드레인 영역에 전기적으로 연결되도록 소오스/드레인 전극을 형성하는 제 8 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 탄소는 CH4, 또는 C2H6를 이용함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 AlNd층과 Mo층이 적층된 구조로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
11 10
제 5 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 AlNd층과 Mo층이 적층된 구조로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.