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액정표시소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024412
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요약 본 발명은 화소전극 형성 시 발생하는 실잔사를 개선하기 위한 것으로, 상기 화소전극 형성 시 상기 화소전극과 화소전극의 간격이 매트릭스 형태의 화소영역들 중심에서 멀어질수록 거리에 비례하여 커지도록 액정표시소자를 제조하는 것이다. 즉, 상기 화소영역의 가장자리로 갈수록 상기 화소전극간의 간격을 넓혀 현상액의 침투를 용이하게 한 것이다. 포토리소그래피, 포토마스크, 잔사
Int. CL G02F 1/1343 (2006.01)
CPC G02F 1/134336(2013.01) G02F 1/134336(2013.01) G02F 1/134336(2013.01) G02F 1/134336(2013.01)
출원번호/일자 1020010052480 (2001.08.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0806809-0000 (2008.02.18)
공개번호/일자 10-2003-0020506 (2003.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20080222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.07)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류희영 대한민국 경상북도구미시옥

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0219793-73
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0487975-22
3 출원심사청구서
Request for Examination
2006.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0487976-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0408921-74
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0689052-23
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0689053-79
7 등록결정서
Decision to grant
2008.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0037456-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기판 상에 형성되어 매트릭스 형태의 화소영역들을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자 상에 형성된 보호층과, 상기 보호층 상에 형성되어 상기 매트릭스 형태의 화소영역들 중심에서 멀어질수록 크기가 감소되는 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 액정표시소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판은 상기 매트릭스 형태의 화소영역들을 복수개 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판에 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판 상에 컬러필터층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
7 7
제 1 기판 상에 게이트 전극을 구비한 게이트 배선을 형성하고 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 상의 양측에 소오스 전극 및 드레인 전극이 위치되도록 상기 게이트 배선에 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 기판 전면에 보호층을 형성하고 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선으로 정의되는 매트릭스 형태의 화소영역들 중심에서 멀어질수록 크기가 감소되는 복수개의 화소전극을 매트릭스 형태로 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 화소전극의 형성 시 상기 매트릭스 형태의 화소영역들 중앙에서 가장자리로 갈수록 상기 화소전극에 해당하는 패턴 크기가 감소되는 마스크를 사용함을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판 상에 차광층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판 상에 컬러필터층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 컬러필터층은 상응하는 상기 화소 전극과 같은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
12 11
제 10 항에 있어서, 상기 컬러필터층은 상응하는 상기 화소 전극과 같은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.