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제 1 기판 상에 형성되어 매트릭스 형태의 화소영역들을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차점에 형성된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자 상에 형성된 보호층과, 상기 보호층 상에 형성되어 상기 매트릭스 형태의 화소영역들 중심에서 멀어질수록 크기가 감소되는 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 2 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판은 상기 매트릭스 형태의 화소영역들을 복수개 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판에 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판 상에 컬러필터층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
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7
제 1 기판 상에 게이트 전극을 구비한 게이트 배선을 형성하고 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 상의 양측에 소오스 전극 및 드레인 전극이 위치되도록 상기 게이트 배선에 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 기판 전면에 보호층을 형성하고 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선으로 정의되는 매트릭스 형태의 화소영역들 중심에서 멀어질수록 크기가 감소되는 복수개의 화소전극을 매트릭스 형태로 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 화소전극의 형성 시 상기 매트릭스 형태의 화소영역들 중앙에서 가장자리로 갈수록 상기 화소전극에 해당하는 패턴 크기가 감소되는 마스크를 사용함을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판 상에 차광층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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10
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대응하는 제 2 기판 상에 컬러필터층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 컬러필터층은 상응하는 상기 화소 전극과 같은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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11
제 10 항에 있어서, 상기 컬러필터층은 상응하는 상기 화소 전극과 같은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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