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기판상에 형성된 캐비티;상기 기판의 캐피티에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극을 포함한 기판상에 형성된 게이트절연막;상기 게이트전극과 대응되는 게이트절연막상에 형성된 액티브층;상기 액티브층상에 이격되게 형성된 소오스전극과 드레인전극;상기 기판전체에 형성되고, 상기 드레인전극을 노출시키는 콘택홀이 구비된 보호막; 및상기 보호막상에 형성되고, 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 박막트랜지스터 액정표시소자 구조
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제 1 항에 있어서,상기 게이트전극의 표면적은 캐비티의 하면 및 측면의 게이트전극 표면적을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자의 구조
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제 1 항에 있어서,상기 스토리지 캐패시터의 저장 용량은 캐비티의 하면 및 측면에 형성된 스토리지 하부전극의 표면적을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 표시 소자의 구조
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박막트랜지스터 형성될 기판의 상부 면을 식각하여 캐비티를 형성하는 단계;상기 캐비티상에 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 박막트랜지스터의 게이트전극을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 절연막을 증착하고, 상기 절연막상에 반도체층과 오믹 접촉층을 연속 증착한 후, 이를 패터닝하여 박막트랜지스터의 액티브층을 형성하는 단계;상기 오믹 접촉층과 게이트 절연막 상에 금속물질을 전면 증착한 다음 이를 패터닝하여 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 소오스 전극 및 드레인 전극상에 노출된 오믹 접촉층을 제거하는 단계;상기 액티브층을 포함하여 소오스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연층 상에 패시배이션 보호막을 전면 형성하고, 상기 드레인 전극 상의 보호막을 마스크 패턴을 이용한 에칭 작업으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 포함한 보호막상에 ITO 물질을 전면 증착한후 이를 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 표시소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 캐비티는 벌크 경사 식각을 통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 기판의 경사 식각 방법은 건식 식각 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 기판의 경사 식각 방법은 습식 식각 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 캐패시티에 형성된 스토리지 하부전극과, 상기 스토리지 하부전극과 대응되는 상기 게이트절연막상에 형성된 스토리지 상부전극을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 박막트랜지스터 액정표시소자 구조
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