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결정질 실리콘의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024579
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는, 절연기판을 구비하는 단계와; 상기 절연기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층 상부에 절연물질로 이루어진 캡핑막을 형성하는 단계와; 상기 캡핑막 상부에 완전용융 영역 에너지를 조사하여, 상기 캡핑막 하부의 상기 비정질 실리콘층을 결정질 실리콘층으로 결정화하는 단계를 포함하는 결정질 실리콘층의 제조방법을 제공하므로써, 첫째, 캡핑막이 가지는 열 보온력에 의해 레이저 빔 사이즈를 늘릴 수 있어 측면성장 영역을 넓힐 수 있고, 둘째, 상기 캡핑막이 가지는 열 보온력에 의해 응고 시간이 길어지므로, 결정립계간의 융기현상을 방지할 수 있으며, 셋째, 상기 캡핑막에 의해 결정화 공정중에 대기중의 이물질이 실리콘층에 유입되는 것이 방지되어, 실리콘층의 소자특성을 향상시킬 수 있는 장점을 가진다.
Int. CL H01L 21/20 (2000.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020010049447 (2001.08.17)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0761345-0000 (2007.09.18)
공개번호/일자 10-2003-0015617 (2003.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20070927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0204991-66
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0570599-94
3 출원심사청구서
Request for Examination
2006.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0570608-17
4 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0570591-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0031986-06
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0337395-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0599810-92
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0599813-28
10 등록결정서
Decision to grant
2007.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0501553-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연기판을 구비하는 단계와; 상기 절연기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층 상부에 절연물질로 이루어진 캡핑막을 형성하는 단계와; 상기 캡핑막 상부에서 완전용융 영역 에너지 밀도로 레이저 열처리 공정을 진행하여 하부의 상기 비정질 실리콘층을 측면성장된 결정질 실리콘층으로 결정화하는 단계 를 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘층을 형성하는 단계 다음에는, 상기 캡핑막을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 캡핑막을 제거하는 단계에서, 불산(HF), BOE(buffered oxide etchant) 중 어느 하나를 포함하는 용액을 이용하여 식각처리하는 결정질 실리콘의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑막은 상기 레이저 에너지를 그대로 투과시킬 수 있는 두께범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑막은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNX) 중 어느 하나인 결정질 실리콘의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘을 형성하는 단계에서는, 상기 완전 용융 영역대의 에너지 밀도를 가지는 레이저 열처리 공정을 이용하여 이루어지는 결정질 실리콘의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 레이저 열처리 공정에서는, 오픈 영역을 가지는 마스크를 더욱 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법
8 7
제 6 항에 있어서, 상기 레이저 열처리 공정에서는, 오픈 영역을 가지는 마스크를 더욱 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.