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기판과; 상기 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트배선과 ; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와; 상기 게이트배선의 일부 상부에 정의되는 보조 용량부에 있어서, 상기 게이트배선의 일부인 제 1 스토리지 전극과; 상기 제 1 스토리지 전극의 상부에 제 1 절연막을 사이에 두고, 상기 제 1 스토리지 전극의 전부를 덮는 제 2 스토리지 전극을 포함하는 보조 용량부와; 상기 스위칭 소자와 보조 용량부가 구성된 기판의 전면에 형성되고, 상기 스위칭 소자의 일부를 노출하는 제 1 콘택홀과, 상기 제 2 스토리지 전극의 일부를 노출하되 내부 벽이 요철형상인 제 2 콘택홀을 포함하는 보호막과; 상기 노출된 스위칭 소자의 일부와 제 2 스토리지 전극과 접촉하면서, 상기 화소영역 상에 구성된 투명한 화소전극 을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극과 오믹콘택층과 액티브층이 적층된 반도체층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터인 액정표시장치용 어레이기판
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제 2 항에 있어서, 상기 액티브층은 순수한 비정질 실리콘이고, 상기 오믹 콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)인 액정표시장치용 어레이기판
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제 2 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 데이터배선의 하부로 연장된 액정표시장치용 어레이기판
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 스토리지 전극 사이에 아일랜드 형상의 반도체층이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판
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제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 ITO, IZO로 구성된 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나인 액정표시장치용 어레이기판
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기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트전극과 게이트배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선과 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층을 적층하는 단계와; 상기 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 패턴하여, 상기 게이트전극의 상부에 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층이 형성된 기판의 전면에 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 게이트배선과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터배선과 연결되는 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극과, 상기 화소영역을 정의하는 게이트배선의 일부가 모두 덮이도록 섬 형상의 금속 전극층을 형성하는 단계와; 상기 데이터배선이 형성된 기판의 전면에 절연물질인 보호층을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀과 상기 금속 전극층을 노출하고 내부 벽이 요철형상인 스토리지 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 패턴된 보호층의 전면에 투명도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극과 금속 전극층과 동시에 접촉하면서 상기 화소영역에 구성되는 투명 화소전극을 형성하는 단계 를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 데이터배선의 하부로 연장된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 게이트배선 상부의 제 1 절연막과 금속 전극층 사이에 섬 형상의 반도체층을 더욱 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 화소전극은 ITO, IZO로 구성된 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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기판과; 상기 기판 상에 서로 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트배선과 ; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차지점에 구성된 스위칭 소자와; 상기 게이트배선의 일부 상부에 정의되는 보조 용량부에 있어서, 상기 게이트배선의 일부인 제 1 스토리지 전극과; 상기 제 1 스토리지 전극의 상부에 게이트 절연막을 사이에 두고, 평면적으로 상기 제 1 스토리지 전극의 내부 영역에 구성된 제 2 스토리지 전극을 포함하는 보조 용량부와; 상기 스위칭 소자와 보조 용량부가 구성된 기판의 전면에 형성되고, 상기 스위칭 소자의 일부를 노출하는 제 1 콘택홀과, 상기 제 2 스토리지 전극의 일부를 노출하되 내부 벽이 요철형상인 제 2 콘택홀을 포함하는 보호막과; 상기 노출된 스위칭 소자의 일부와 제 2 스토리지 전극과 접촉하면서, 상기 화소영역 상에 구성된 투명한 화소전극 을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
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제 11 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극과 오믹콘택층과 액티브층이 적층된 반도체층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터인 액정표시장치용 어레이기판
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제 12 항에 있어서, 상기 액티브층은 순수한 비정질 실리콘이고, 상기 오믹 콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)인 액정표시장치용 어레이기판
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제 12 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 데이터배선의 하부로 연장된 액정표시장치용 어레이기판
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 스토리지 전극 사이에 아일랜드 형상의 반도체층이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 스토리지 전극 사이에 아일랜드 형상의 반도체층이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판
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