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결정질 실리콘의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024596
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는, 절연기판을 구비하는 단계와; 상기 절연기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층을 완전용융 영역(complete melting regime) 에너지 밀도에 의해 결정질 실리콘층(crystalloid silicon layer)으로 형성하는 단계와; 상기 결정질 실리콘층의 표면을 산화처리하는 단계와; 상기 산화처리된 막을 제거하여, 상기 결정질 실리콘층의 표면을 평탄화하는 단계를 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법을 제공하므로써, 평탄화 특성이 향상된 고품질의 결정질 실리콘층을 박막트랜지스터 반도체 소자로 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020010049448 (2001.08.17)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0761346-0000 (2007.09.18)
공개번호/일자 10-2003-0015618 (2003.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20070927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0204992-12
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0570600-53
3 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0570592-75
4 출원심사청구서
Request for Examination
2006.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0570609-63
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0031987-41
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0337396-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0488201-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0488202-72
10 등록결정서
Decision to grant
2007.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0501552-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연기판을 구비하는 단계와; 상기 절연기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층을 레이저 열처리 공정을 통해 결정질 실리콘층(crystalloid silicon layer)으로 형성하는 단계와; 상기 결정질 실리콘층의 표면을 산화처리하는 단계와; 상기 산화처리된 막을 제거하여, 상기 결정질 실리콘층의 표면을 평탄화하는 단계를 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 산화처리하는 단계는, 상기 결정질 실리콘층이 형성된 기판을 산소(02 ) 플라즈마를 발생시키는 챔버내에 안치하는 단계와, 상기 산소 플라즈마와 상기 결정질 실리콘층의 산화작용에 의해, 상기 결정질 실리콘층의 표면에 산화막을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 결정질 실리콘의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화처리된 막을 제거하는 단계에서, 불산(HF), BOE(buffered oxide etchant) 중 어느 하나를 포함하는 용액을 이용하는 결정질 실리콘의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘층은 순차 측면 고상(sequential lateral solidification) 결정화 기술을 이용한 단결정 실리콘층인 결정질 실리콘의 제조방법
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘층은 순차 측면 고상(sequential lateral solidification) 결정화 기술을 이용한 단결정 실리콘층인 결정질 실리콘의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.