맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

컬러필터, 이를 구비한 박막트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024599
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컬러필터, 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 및 그 제조방법은 색상층의 보호를 위한 오버코팅층을 유기계의 물질을 사용하여 형성함으로써, 후속공정에서 유기성 이물이 발생할 가능성이 높아 공정의 신뢰성이 저하되는 문제점과 아울러 얼룩계 불량, 세로선 등의 자체 불량 발생율이 높아 박막 트랜지스터 표시소자의 품질을 저하시키며, 이로 인해 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리기판 상에 위치하여 액정에 전계를 인가하는 전극과; 상기 전극의 상부측에 위치하여, 표시소자의 컬러를 구현하는 색상층과; 상기 구조의 상부전면에 위치하여 상기 색상층을 보호하는 유기계 오버코팅층과; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 위치하여 상기 유기계 오버코팅층에서 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하는 이물발생 방지층으로 구성되는 칼라필터를 구현하여, 칼라필터의 색상층을 보호하는 유기계의 오버코팅층 상부에 실리콘계 절연막을 더 형성함으로써, 공정중에 유기성 이물이 발생하는 것을 방지하여 공정의 신뢰성을 확보함과 아울러 얼룩계 불량 및 세로선의 발생을 방지함으로써, 박막 트랜지스터 표시소자의 특성이 열화되는 것을 방지하고, 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01) G02F 1/133514(2013.01)
출원번호/일자 1020010055181 (2001.09.07)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0798312-0000 (2008.01.21)
공개번호/일자 10-2003-0021770 (2003.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20080128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.07)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형철 대한민국 경상북도칠곡군
2 구동효 대한민국 경상북도칠곡군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0229760-56
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0647369-83
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0647375-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0348652-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0623245-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0623246-59
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0691320-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리기판의 상부에 이격되게 형성된 차광층; 상기 차광층사이에 노출된 유리기판상에 형성된 색상층; 상기 유리기판 전체에 형성된 유기계 오버코팅층; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 형성된 이물발생 방지층; 및상기 이물발생 방지층의 상부에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계의 절연막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터
3 3
유리기판의 상부에 이격되게 복수의 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층사이에 노출된 유리기판상에 색상층을 형성하는 단계; 상기 구조의 상부전면에 오버코팅층을 형성하는 단계; 상기 오버코팅층의 상부에 이물발생 방지층을 형성하는 단계; 및상기 이물발생 방지층의 상부에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 0보다 크고 250℃ 이하의 온도 분위기하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 칼라필터 제조방법
6 6
하판상에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극상에 형성된 게이트절연막과 액티브영역;상기 액티브영역상에 형성된 소스 및 드레인;상기 하판상에 형성되고 상기 드레인을 노출시키는 콘택홀이 구비된 패시베이션막;상기 패시베이션막상에 형성되고 상기 드레인과 연결되는 픽셀전극;상판의 상부에 이격되게 형성된 차광층; 상기 차광층사이에 노출된 상판상에 형성된 색상층; 상기 상판 전체에 형성된 유기계 오버코팅층; 상기 유기계 오버코팅층의 상부전면에 형성된 이물발생 방지층;상기 이물발생 방지층의 상부에 형성된 투명전극; 및상기 하판과 상판사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터 표시소자
7 7
제 6항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계의 절연막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자
8 8
하판상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극상에 게이트절연막과 액티브영역을 적층하는 단계;상기 액티브영역상에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;상기 하판상에 패시베이션막을 형성하고 상기 패시베이션막에 상기 드레인을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 패시베이션막상에 상기 드레인과 연결되는 픽셀전극을 형성하는 단계;상기 하판에 제1배향막을 형성하는 단계;상판 상부에 이격되게 복수의 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층사이에 노출된 상판 상에 색상층을 형성하는 단계; 상기 구조의 상부전면에 오버코팅층을 형성하는 단계; 상기 오버코팅층의 상부에 이물발생 방지층을 형성하는 단계;상기 이물발생 방지층의 상부에 투명전극을 형성하는 단계;상기 상판에 제2배향막을 형성하는 단계;상기 하판과 상판을 합착시키는 단계; 및상기 합착된 하판과 상판사이에 액정을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 실리콘계 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 이물발생 방지층은 0보다 크고 250℃ 이하의 온도 분위기하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 표시소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.