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액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 따른 박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015024616
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는, 게이트 전극이 반도체층 상부에 위치하는 탑 게이트형 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 절연기판을 준비하는 단계와; 상기 절연기판 상에 제 1 영역 및 이 제 1 영역의 주변부에 위치하는 제 2 영역을 가지는 결정질 실리콘으로 이루어진 활성화층을 형성하는 단계와; 상기 활성화층의 상부에 위치하며, 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 각각에 대응하는 위치에서 서로 두께를 가지는 절연물질로 이루어진 캡핑막을 형성하는 단계와; 상기 캡핑막의 상부에 위치하며, 상기 활성화층의 제 1 영역과 대응하는 위치에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 활성화층의 제 2 영역을 이온 도핑(ion doping)하여 불순물층으로 형성하여, 상기 활성화층 및 불순물층으로 구성되는 반도체층을 완성하는 단계와; 상기 제 2 영역 및 버퍼층 상의 캡핑막을 제거하는 단계와; 상기 불순물층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법을 제공하므로써, 반도체 소자의 특성을 보호하면서, 활성화 효율의 저하를 방지할 수 있으므로, 박막트랜지스터의 소자 특성을 향상시킬 수 있어 신뢰성있는 액정표시장치를 제공할 수 있는 장점을 가진다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자 1020010058960 (2001.09.24)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0856864-0000 (2008.08.29)
공개번호/일자 10-2003-0025998 (2003.03.31) 문서열기
공고번호/일자 (20080904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양준영 대한민국 경기도 시흥시 정왕대로**번길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0244185-10
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0686363-68
3 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0686361-77
4 출원심사청구서
Request for Examination
2006.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0686362-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352670-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0610365-80
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0610367-71
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0691325-32
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0125370-00
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0125368-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0332875-91
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0032300-51
14 등록결정서
Decision to grant
2008.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0448504-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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5 5
게이트 전극이 반도체층 상부에 위치하는 탑 게이트형 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 절연기판을 준비하는 단계와; 상기 절연기판 상에 제 1 영역 및 상기 제 1 영역의 주변부에 위치하는 제 2 영역을 가지는 결정질 실리콘으로 이루어진 활성화층을 형성하는 단계와; 상기 활성화층의 상부에 서로 다른 식각비를 가는 절연물질로 이루어지며 각각 500Å 두께를 갖는 제 1 및 제 2 층을 포함하는 캡핑막을 형성하는 단계와; 상기 캡핑막의 상부에 위치하며, 상기 활성화층의 제 1 영역과 대응하는 위치에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 제 2층을 식각함으로써, 제 2 영역에 상기 제 1 층만을 남기는 단계와;상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 활성화층의 제 2 영역을 이온 도핑(ion doping)하여 불순물층으로 형성하여, 상기 활성화층 및 불순물층으로 구성되는 반도체층을 완성하는 단계와; 상기 불순물층을 활성화시키기 위해 열처리(annealing) 하는 단계와;상기 열처리하는 단계이후, 상기 반도체층 상부로 절연물질을 증착하고, 상기 불순물층의 일부를 드러내는 콘택홀을 가지는 층간절연막을 형성하는 단계와;상기 층간절연막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 불순물층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 층은 상기 반도체층과 연접하며 실리콘 산화막이고, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층 상부에 위치하며 실리콘 질화막인 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 절연물질은 건식식각(dry etching)에 의해 식각되는 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 결정질 실리콘은 레이저 열처리 공정에 의해 형성된 다결정 또는 단결정 실리콘인 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법
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13 13
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14 14
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22 22
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