맞춤기술찾기

이전대상기술

능동행렬 유기전기발광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015024628
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터를 이용한 능동행렬 유기전기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.종래의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 능동행렬 유기전기발광소자에서는, 외부광에 의해 광누설 전류가 발생하여 발광 다이오드 및 박막 트랜지스터가 열화되고 화질을 저하되는 문제가 있다.본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 이용하여 균일한 화질을 가지면서, 박막 트랜지스터 상부에 캐소드 전극과 같은 불투명 도전 물질로 차광막을 형성하여 공정의 추가 없이 광누설 전류를 차단할 수 있다. 따라서, 능동행렬 유기전기발광소자의 열화를 방지하여 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 유기전기발광소자, 박막 트랜지스터, 광누설 전류
Int. CL H05B 33/00 (2000.01)
CPC H01L 27/3272(2013.01) H01L 27/3272(2013.01) H01L 27/3272(2013.01)
출원번호/일자 1020010057076 (2001.09.17)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0782025-0000 (2007.11.28)
공개번호/일자 10-2003-0024095 (2003.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20071204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.18)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박재용 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0237143-38
2 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0671085-29
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0671087-10
4 출원심사청구서
Request for Examination
2006.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0671086-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0437898-80
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0724519-10
7 등록결정서
Decision to grant
2007.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0632000-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과; 상기 기판 위에 형성되고 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터를 덮고 있으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 가지는 보호막과; 상기 보호막 상부에 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 캐소드 전극과; 상기 보호막 상부에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 대응하는 차광막과; 상기 캐소드 전극 상부의 유기층과; 상기 유기층을 덮고 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 애노드 전극 을 포함하는 능동행렬 유기 LED
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 차광막은 상기 캐소드 전극과 동일한 물질로 이루어진 능동행렬 유기 LED
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 액티브층을 포함하며, 상기 액티브층은 비정질 실리콘으로 이루어진 능동행렬 유기 LED
4 4
기판을 구비하는 단계; 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 위에 비정질 실리콘으로 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층 상부에 오믹 콘택층을 형성하는 단계; 상기 오믹 콘택층 상부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 콘택홀을 가지는 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상부에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 캐소드 전극 및 상기 액티브층과 대응하는 차광막을 형성하는 단계; 상기 캐소드 전극 상부에 유기층을 형성하는 단계; 상기 유기층 상부에 투명 도전 물질로 애노드 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 능동행렬 유기 LED의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 및 상기 차광막의 형성은 사진 식각 공정을 통해 이루어지는 능동행렬 유기 LED의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 및 상기 차광막의 형성은 섀도우 마스크를 이용한 증발법에 의해 이루어지는 능동행렬 유기 LED의 제조 방법
7 6
제 4 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 및 상기 차광막의 형성은 섀도우 마스크를 이용한 증발법에 의해 이루어지는 능동행렬 유기 LED의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.